SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
PS2933-1-V-F3-A CEL PS2933-1-V-F3-A -
RFQ
ECAD 7048 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-smd, planos de cables Corriente Continua 1 Darlington 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 3,500 60mera 20 µs, 5 µs 350V 1.1V 50 Ma 2500 VRMS 400% @ 1MA 4500% @ 1MA - 1V
TLP785F(D4B-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4B-F7, F -
RFQ
ECAD 8709 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4B-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
PS2801C-1-P-A CEL PS2801C-1-PA -
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 Cela - Banda Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 4-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado PS2801C1PA EAR99 8541.49.8000 50 30mera 5 µs, 7 µs 80V 1.2V 30 Ma 2500 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 10 µs, 7 µs 300mv
HCPL-4701#020 Broadcom Limited HCPL-4701#020 -
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 60mera - 18V 1.25V 10 Ma 5000 VRMS 600% @ 500 µA 8000% @ 500 µA 3 µs, 34 µs -
6N136V Fairchild Semiconductor 6n136v 0.7900
RFQ
ECAD 870 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
PS2805C-4-F3-M-A Renesas Electronics America Inc PS2805C-4-F3-MA 1.0898
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) PS2805 AC, DC 4 Transistor 16-ssop - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 559-1513-2 EAR99 8541.49.8000 2.500 30mera 5 µs, 7 µs 80V 1.2V 30 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 400% @ 5MA 10 µs, 7 µs 300mv
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (DLT-HR, F) -
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (DLT-HRF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
H11G1 onsemi H11G1 -
RFQ
ECAD 4587 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
FOD817C3SD onsemi FOD817C3SD 0.6300
RFQ
ECAD 45 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
H11D1-X017T Vishay Semiconductor Opto Division H11D1-X017T 0.7365
RFQ
ECAD 9345 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA 2.5 µs, 5.5 µs 300V 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 6 µs 400mv
SL5511 onsemi SL5511 -
RFQ
ECAD 7459 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) SL5511 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL5511-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.23V 100 mA 5300 VRMS 25% @ 2mA - 20 µs, 50 µs (máx) 400mv
H11A817ASD onsemi H11A817Asd -
RFQ
ECAD 9880 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817Asd-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
HMA2701BR3V onsemi HMA2701BR3V -
RFQ
ECAD 1629 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
SFH620A-1X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH620A-1x006 0.3182
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) SFH620 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 40% @ 10mA 125% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
MF306# Isocom Components 2004 LTD MF306# 1.0100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota MF306 - 1 Triac - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 280 µA (tipos) Si 1kV/µs 30mera -
4N38300 onsemi 4N38300 -
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N38300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
LIA130S IXYS Integrated Circuits Division Lia130s -
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 División de Circuitos Integrados Ixys - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera - 70V 1.4V (Máximo) 20 Ma 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 500mv
EL3083S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL3083S1 (TB) -
RFQ
ECAD 5224 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota EL3083 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3903830007 EAR99 8541.49.8000 1,000 1.5V (Máximo) 60 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 280 µA (tipos) Si 600V/µs 5 mm -
VOM618A-5T Vishay Semiconductor Opto Division VOM618A-5T 0.5700
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Vom618 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 5 µs, 4 µs 80V 1.1V 60 Ma 3750vrms 50% @ 1MA 100% @ 1MA 7 µs, 6 µs 400mv
HCPL-4701-320E Broadcom Limited HCPL-4701-320E 1.8922
RFQ
ECAD 1746 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL-4701 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington Ala de la Gaviota de 8 Dipas descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 60mera - 18V 1.25V 10 Ma 5000 VRMS 600% @ 500 µA 8000% @ 500 µA 3 µs, 34 µs -
HCPL0611R2 onsemi HCPL0611R2 5.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0611 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
FOD2711SV onsemi FOD2711SV -
RFQ
ECAD 9047 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD271 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
ACPL-5600L Broadcom Limited ACPL-5600L 82.0222
RFQ
ECAD 4845 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) ACPL-5600 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 3.6V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 Ma 10mbd 20ns, 8ns 1.55V 20 Ma 1500VDC 1/0 1kV/µs 100ns, 100ns
ILD615-4X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-4X009T 1.8200
RFQ
ECAD 305 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota ILD615 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs -
TLP2601(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601 (f) -
RFQ
ECAD 8371 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2601 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 25 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 1/0 1kV/µs 75ns, 75ns
EL817(A)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (a) -V 0.2030
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) EL817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) C110000586 EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 35V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
HCNR200-500E Broadcom Limited HCNR200-500E 4.8800
RFQ
ECAD 256 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCNR200 Corriente Continua 1 Fotovoltaico, Linealizado Ala de la Gaviota de 8 Dipas descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 750 - - - 1.6V 25 Ma 5000 VRMS 0.25% @ 10mA 0.75% @ 10mA - -
4N33-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 4N33-X007 -
RFQ
ECAD 5674 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N33 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 100mA - 30V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V (typ)
PS2841-4B-AX Renesas Electronics America Inc PS2841-4B-AX 12.3000
RFQ
ECAD 490 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Una granela No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 12-BSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 4 Transistor 12-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 20 20 Ma 20 µs, 110 µs 70V 1.1V 20 Ma 1500 VRMS 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300mv
TLP2735(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (D4, E 1.8300
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2735 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 9V ~ 15V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 20 Ma 10Mbps -, 4ns 1.61V 15 Ma 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 100ns, 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock