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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLX9185 (KBDGBTLF (O | - |  | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185 (KBDGBTLF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 20% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | Eld211 (TA) | 0.4127 | | 6787 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ELD211 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C110000092 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 1.6 µs, 2.2 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 4 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS2561BL1-1-DA | - | | 4383 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Una granela | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 40 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
 | HCPL-2411-300E | 3.6071 | | 9796 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-2411 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.75V ~ 5.25V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 Ma | 40mbd | 20ns, 10ns | 1.3V | 10 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
 | HCPL-2531-020E | 1.3560 | | 1989 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-2531 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
 | EL817 (S) (C) (TA) -VG | - | | 2952 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| TLP785F (GR, F | 0.7200 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP785F (GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| HCPL-4504#320 | - | | 6283 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25% @ 16MA | 60% @ 16MA | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
| PS2801C-4-MA | - | | 2314 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | PS2801 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1501 | EAR99 | 8541.49.8000 | 10 | 30mera | 5 µs, 7 µs | 80V | 1.2V | 30 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 10 µs, 7 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | VOT8121AM-T | 1.1400 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | VOT8121 | Cul, UL | 1 | Triac | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 800 V | 100 mA | 250 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | 30 µs | ||||||||||||||||
| 6N139S1 (TA) -V | - | | 9336 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 200ns, 1.7 µs | - | |||||||||||||||||
 | TLP293-4 (V4LATPE | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| ACPL-5601L-200 | 95.6184 | | 4430 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | ACPL-5601 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 3.6V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 20ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| ILD55 | 2.6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ILD55 | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 125 Ma | 10 µs, 35 µs | 55V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 1V | ||||||||||||||||
| TLP627M (D4-LF1, E | 0.9300 | | 4484 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | |||||||||||||||||
| 6N138 | - | | 9371 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N138 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 60mera | - | 7V | 1.4V | 25 Ma | 5300 VRMS | 300% @ 1.6MA | - | 2 µs, 2 µs | - | ||||||||||||||||
| PS2566L-2 | - | | 4153 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 2 | Darlington | 8-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | Q1148709 | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 160 Ma | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | - | - | 1V | |||||||||||||||
 | H11A3TVM | - | | 9072 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 7500vpk | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| PS2381-1Y-V-AX | 3.2000 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 115 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2381 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-LSOP (2.54 mm) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 50mera | 4 µs, 5 µs | 80V | 1.1V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
| EL817 (S) (TA) -G | - | | 5933 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | PS2702-1-VA | - | | 7383 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Una granela | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 200 MMA | 200 µs, 200 µs | 40V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 1MA | - | - | 1V | ||||||||||||||||
| TLP190B (Costopluc, F | - | | 3149 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP190 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | 264-TLP190B (costplucf | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | |||||||||||||||||
| TLP2766F (f) | - | | 5909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2766 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2766F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||||
| TLP2630 (Mat, F) | - | | 8093 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP2630 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2630 (MATF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fod617aw | - | | 6276 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | PS2581L2-WA | - | | 2366 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
| Tcet1109g | 0.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TCET1109 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
| PS2711-1-V-F3-Ma | - | | 8813 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | PS2711-1-V-F3-M-ATR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 40mera | 4 µs, 5 µs | 40V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 200% @ 1MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | 6N139SVM | 1.9500 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | 6N139 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 240ns, 1.3 µs | - | |||||||||||||||
 | PS2841-4B-AX | - | | 9360 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 12-BSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 4 | Transistor | 12-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | PS28414BAX | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 20 Ma | 20 µs, 110 µs | 70V | 1.1V | 20 Ma | 1500 VRMS | 100% @ 1MA | 400% @ 1MA | - | 300mv |
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