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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ACPL-847-000E | 1.8500 |  | 7809 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ACPL-847 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
 | OPIA6010ATUA | - | | 4884 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mera | 5 µs, 4 µs | 60V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 60% @ 1MA | 600% @ 1MA | - | 300mv | |||||||||||||||||
 | CNY17F3 | 0.0900 | | 3759 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 667 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||
 | 6n136m | 1.0000 | | 9793 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N136 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 350ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||
 | AB817D-B | 1.0500 | | 1 | 0.00000000 | Kingbright | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | PC703V0NSZX | - | | 5847 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 425-1414-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 320% @ 10mA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | TLP160G (T5-TPL, U, F | - | | 6220 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP160G (T5-TPLUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fod617b | - | | 2660 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||
 | LDA111 | 1.6100 | | 9456 | 0.00000000 | División de Circuitos Integrados Ixys | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30V | 1.2V | 1 MA | 3750vrms | 300% @ 1MA | 30000% @ 1MA | 8 µs, 345 µs | 1V | ||||||||||||||||
 | VO617C-2X009T | 0.2496 | | 4008 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 751-VO617C-2X009TTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.1V | 60 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 5MA | 125% @ 5MA | 6 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | El817 (s) (tu) -vg | - | | 5252 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | ACPL-217-56BE | 0.7000 | | 27 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | ACPL-217 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | HCPL-5230 | 134.1100 | | 153 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-5230 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 15 Ma | 5mbd | 45ns, 10ns | 1.3V | 8 MA | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
 | FODM2701AV | - | | 1624 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM27 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 40V | 1.4V (Máximo) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
 | CNY17F1M | 0.7700 | | 830 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY17F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | CNY17F1MFS | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | H11b255m | - | | 9795 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11B2 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C130000002 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||
| LTV-827S-TA1-B | 0.1683 | | 7526 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-8X7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | LTV-827 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 160-LTV-827S-TA1-BTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | S2S4BY0F | - | | 2058 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD | S2S4 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 50 Ma | 3.5mA | Si | 100V/µs | 10 Ma | 50 µs (MAX) | ||||||||||||||||
| EL814S (a) (TA) -V | - | | 8406 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 7 µs, 11 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | 140816141410 | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-DIP-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 732-140816141410 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | ||||||||||||||||
| MOC3163TVM | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc316 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 450 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||||
| TLP626 (MAT-LF2, F) | - | | 9349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (MAT-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | TLP265J (V4-TPL, E | 0.8400 | | 2042 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP265 | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 1 ma (typ) | No | 500V/µs (topos) | 10 Ma | 20 µs | ||||||||||||||||
 | Moc3020m | 0.2200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Moc302 | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.370 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CNY64 | 2.4100 | | 6996 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.200 ", 5.08 mm) | CNY64 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2.4 µs, 2.7 µs | 32V | 1.25V | 75 Ma | 8200 VRMS | 50% @ 10mA | 300% @ 10mA | 5 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP781F (f) | - | | 6116 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| EL3011M | - | | 8279 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | EL3011 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903110001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1.18V | 60 Ma | 5000 VRMS | 250 V | 100 mA | 250 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 10 Ma | - | |||||||||||||||
| Moc3052vm | 1.1000 | | 6 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc305 | Ur, vde | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | MOC3052VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
 | TLP385 (D4GB-TR, E | 0.5600 | | 8208 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | Fod2743b | 2.2300 | | 988 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD2743 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv |
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