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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Nrts6100tfstbg | 0.2636 | ![]() | 6400 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Schottky | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-nrts6100tfstbgtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 680 MV @ 6 A | 50 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 782pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1SS119-21TE-E | 0.1000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV23CA | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | Estándar | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 225 Ma | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | FFSB1265A | 3.2122 | ![]() | 7830 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FFSB1265 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D²pak-3 (A-263-3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.75 V @ 12 A | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 14A | 665pf @ 1V, 100kHz | |||||||||||||
![]() | SR20100H | 0.6996 | ![]() | 1207 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SR20100 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SR20100H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 900 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | VS-80-5049 | - | ![]() | 6781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 80-5049 | - | 112-VS-80-5049 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sk36bh-ltp | 0.0773 | ![]() | 6369 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Sk36 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | 353-SK36BH-LTP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||
![]() | S4250 | 102.2400 | ![]() | 4934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S4250 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | ||||||||||||||||
![]() | Pne20020aerx | 0.4100 | ![]() | 7751 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Schottky | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | 175 ° C | 2.8a | 21pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | UF1002_T0_00001 | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UF1002 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-UF1002_T0_00001 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 10 A | 50 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-VS24CSR06L | - | ![]() | 1666 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS24 | - | 112-VS-VS24CSR06L | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CURC305-HF | 0.2175 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | CURC305 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 641-CURC305-HFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 5 µA @ 600 V | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | Es2jalh | 0.1491 | ![]() | 5562 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | Estándar | SMA Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-ES2JALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 2 a | 35 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 21pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | V12pm63hm3/h | 0.7500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 12 A | 30 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 4.6a | 2400pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||
![]() | Jans1n4477us/tr | 92.0400 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4477us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | SMBT1580LT3 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS1H9-E3/61T | 0.3900 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS1H9 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 770 MV @ 1 A | 1 µA @ 90 V | 175 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | RB085T-60NZC9 | 2.0200 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB085 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB085T-60NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 580 MV @ 5 A | 300 µA @ 60 V | 150 ° C | |||||||||||||
![]() | HSMS-2822-TR1G | - | ![]() | 2358 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | HSMS-2822 | Sot-23-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 A | 1PF @ 0V, 1MHz | Schottky - Conexión de la Serie de 1 par | 15V | 12ohm @ 5mA, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SDM1100S1F-7-2477 | - | ![]() | 1575 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | - | 31-SDM1100S1F-7-2477 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 820 MV @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | S8B | 0.2813 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | SMC (DO-214AB) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2796-S8BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 980 MV @ 8 A | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||
![]() | MUR1605-BP | 0.4200 | ![]() | 9240 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MUR1605 | Estándar | TO20AC | descascar | 353-MOR1605-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 975 MV @ 16 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | BZG05C13-HE3-TR3 | - | ![]() | 2738 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 11 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
![]() | MUR1660 | 0.5330 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MOR1660 | EAR99 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-25CTQ035Strl-M3 | 0.8993 | ![]() | 5675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 25CTQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 15A | 560 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | 1N2432 | 102.2400 | ![]() | 4093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2432 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 350 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 350 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||||||||
![]() | RGL34A | 0.0401 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA, Mini Masa | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2796-RGL34ATR | 8541.10.0000 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | |||||||||||||||
![]() | S52F | 0.0600 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-S52FTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2545CT | 0.8505 | ![]() | 1694 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS2545 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRS2545CTTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 25A | 820 MV @ 25 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | RBR3L30BDDTE25 | 0.6600 | ![]() | 837 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR3L30 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 530 MV @ 3 A | 80 µA @ 30 V | 150 ° C | 3A | - |
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