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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
CPT30045 Microsemi Corporation CPT30045 -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Monte del Chasis MD3CC Schottky Torre Gemela descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 150a 760 MV @ 200 A 4 Ma @ 45 V
JANTX1N3019B-1/TR Microchip Technology Jantx1n3019b-1/tr 8.9908
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N3019B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 25 µA @ 6.9 V 9.1 V 6 ohmios
VS-88CNQ060ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88CNQ060AMSPBF -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero D-61-8-SM 88CNQ060 Schottky D-61-8-SM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS88CNQ060AMSPBF EAR99 8541.10.0080 400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 40A 580 MV @ 40 A 640 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BAS 70 B5003 Infineon Technologies BAS 70 B5003 -
RFQ
 ECAD 3449 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS 70 Schottky PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C 70 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
2EZ18D/TR12 Microsemi Corporation 2EZ18D/TR12 -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ18 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13.7 V 18 V 10 ohmios
1N5259B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5259B 0.0271
RFQ
 ECAD 2877 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5259 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5259BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
UF5402GP-TP Micro Commercial Co UF5402GP-TP 0.2472
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 ECAD 1043 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial UF5402 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1 MHz
JANS1N4111CUR-1 Microchip Technology Jans1n4111cur-1 97.9650
RFQ
 ECAD 3446 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 13 V 17 V 100 ohmios
PDU620CT-13 Diodes Incorporated PDU620CT-13 0.5586
RFQ
 ECAD 6871 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 PDU620 Estándar Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 3A 1 v @ 3 a 25 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
TZQ5229B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5229B-GS08 0.0303
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 TZQ5229 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
TSZL52C9V1 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C9V1 RWG -
RFQ
 ECAD 7982 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSZL52 200 MW 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
BZX55F24-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F24-TAP -
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 1% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
1N5230B Microchip Technology 1N5230B 2.7150
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5230 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5230bms EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 50 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
CZRQR12VB-HF Comchip Technology CZRQR12VB-HF -
RFQ
 ECAD 1970 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) CZRQR12 125 MW 0402/sod-923f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 12 ohmios
1N4704UR-1/TR Microchip Technology 1N4704UR-1/TR 5.2400
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 12.9 V 17 V
MB315_R1_00001 Panjit International Inc. MB315_R1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 794 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC MB315 Schottky SMC (DO-214AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-MB315_R1_00001DKR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 3 A 50 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A 140pf @ 4V, 1MHz
BZX84B5V6-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84B5V6-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84B5V6-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZG03C200-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C200-M3-08 0.5000
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG03C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 6% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03C200 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 150 V 200 V 500 ohmios
JAN1N6350D Microchip Technology Jan1n6350d 49.5300
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-Enero1n6350d EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 91 V 120 V 600 ohmios
SMBG5335AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG533555AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3723 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5335 5 W SMBG (DO-215AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 50 µA @ 1 V 3.9 V 2 ohmios
VS-16CTU04-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTU04-N3 -
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 16ctu04 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-16CTU04-N3GI EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 8A 1.3 V @ 8 A 43 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
JANS1N4624CUR-1 Microchip Technology Jans1n4624cur-1 165.5850
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3 V 4.7 V 1550 ohmios
PZU2.7B2,115 Nexperia USA Inc. PZU2.7B2,115 0.0654
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F PZU2.7 310 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
SMZG3799AHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3799AHE3/52 -
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMZG37 1.5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 20.6 V 27 V 23 ohmios
SMZJ3802B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3802B-M3/5B 0.1304
RFQ
 ECAD 5010 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ3802 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 27.4 V 36 V 38 ohmios
BZD27C75P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C75P-M-08 -
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZD27-M Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27C75 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
JANTX1N5538BUR-1 Microchip Technology Jantx1n5538bur-1 14.7600
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N5538 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 16.2 V 18 V 100 ohmios
1N5924CE3/TR13 Microchip Technology 1N5924CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5924 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 7 V 9.1 V 4 ohmios
CDLL5914B Microchip Technology CDLL5914B 3.9300
RFQ
 ECAD 6621 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL5914 1.25 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 75 µA @ 1 V 3.6 V 9 ohmios
JANS1N4127UR-1/TR Microchip Technology Jans1n4127ur-1/tr 45.8600
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n4127ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 42.6 V 56 V 300 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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