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Diodos (166326)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MD8F	0.3300	RFQ	3927	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		MD-S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		2516-MD8FTR	EAR99	8541.10.0080	24,000					1 V @ 500 Ma		1 µA @ 800 V		1 A		Fase única	800 V
MBR1030F-BP	0.3123	RFQ	7161	Micro Commercial Co	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Pestaña aislada de 220-2	MBR1030	Schottky		ITO-220AC	descascar				353-MBR1030F-BP	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		550 MV @ 10 A		500 µA @ 30 V	-50 ° C ~ 150 ° C	10A	-
RGP30AHE3/54	-	RFQ	1768	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Rgp30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 3 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Mmbd3004se	0.0616	RFQ	3504	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Mmbd3004	Estándar		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-mmbd3004setr	EAR99	8541.10.0070	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		350 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 240 V	-65 ° C ~ 150 ° C	225 Ma	5PF @ 1V, 1MHz
VS-90EPF12L-M3	5.0094	RFQ	2885	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	90EPF12	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.38 V @ 90 A	480 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	90A	-
MURF2060CT	0.5320	RFQ	6847	Semiconductor diotec	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA		Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable		2796-MORF2060CT		8541.10.0000	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	10A	2 V @ 10 A	50 ns	1 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 175 ° C
Jan1n4977us/tr	9.3600	RFQ	1131	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-ENERO1N4977US/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 47.1 V						62 V	42 ohmios
LL4150GS18	0.2000	RFQ	39	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL4150	Estándar		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 200 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	600mA	2.5pf @ 0V, 1 MHz
BZX84W-B62-QF	0.0312	RFQ	4626	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, BZX84W-Q	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1.94%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BZX84W		275 MW	Sot-323	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1727-BZX84W-B62-QFTR	EAR99	8541.10.0050	10,000					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 43.4 V						62 V	215 ohmios
WNC3060D45160WQ	2.2193	RFQ	4904	Semiconductorores de ween	-	Una granela	Activo					WNC3060				-							600
SSL36A	0.0820	RFQ	500	Tecnología yangjie	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	Cumplimiento de Rohs		Alcanzar sin afectado	4617-SSL36ATR	EAR99		5,000
PMEG100T30ELRX	0.1266	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123W		Schottky		SOD-123W	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		800 MV @ 3 A	12.5 ns	1.75 µA @ 100 V	175 ° C	3A	310pf @ 1V, 1 MHz
SF1606PT	1.4023	RFQ	4364	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	SF1606	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	85pf @ 4V, 1 MHz
HER303G	0.3800	RFQ	9351	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		DO-201AD (DO-27)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99		1.250	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 3 a	50 ns	2.5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	65pf @ 4V, 1 MHz
ER1B	0.0675	RFQ	60	Semiconductor diotec	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC, SMA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		2796-ER1BTR		8541.10.0000	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SS1040FL-AU_R1_000A1	0.3700	RFQ	15	Panjit International Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123F	SS1040	Schottky		SOD-123FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		550 MV @ 1 A		30 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	60pf @ 4V, 1MHz
SSL26A	0.0520	RFQ	500	Tecnología yangjie	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	Cumplimiento de Rohs		Alcanzar sin afectado	4617-SSL26ATR	EAR99		5,000
As1fkhm3/i	0.1198	RFQ	2430	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-AS1FKHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.15 V @ 1.5 A	1.3 µs	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	8.8pf @ 4V, 1MHz
STPS10L45CT	-	RFQ	1125	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	Stps10	Schottky		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	5A	530 MV @ 5 A		150 µA @ 45 V	150 ° C (Máximo)
Mursd520a-tp	0.2459	RFQ	1551	Micro Commercial Co	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Mursd520	Estándar		DPAK (A 252)	descascar				353-MURSD520A-TP	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 5 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	40pf @ 4V, 1 MHz
Murb860	-	RFQ	3232	Soluciones de Diodo SMC	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		D2pak	-		1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	1655-murb860	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.2 v @ 8 a	50 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
R3711	49.0050	RFQ	3946	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R3711			1
MUR3060BS-BP	2.1300	RFQ	1	Micro Commercial Co	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	MUR3060	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	353-MOR3060BS-BP	EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 30 A	45 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	200pf @ 4V, 1MHz
Janhca1n5540d	-	RFQ	2186	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5540D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18 V						20 V	100 ohmios
M3Z3V9C	0.0294	RFQ	6597	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	M3Z3		200 MW	Sod-323f	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-M3Z3V9CTR	EAR99	8541.10.0050	6,000							5 µA @ 1 V						3.9 V	85 ohmios
Rfn6b2dtl	-	RFQ	4713	Semiconductor rohm	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto									-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	2.500
Jan1n5419	-	RFQ	3517	Corpacia semtech	MIL-PRF-19500/411.	Una granela	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Axial		Estándar		Axial	descascar				Jan1n5419s	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.1 v @ 3 a	250 ns	1 µA @ 500 V	-	4.5a	140pf @ 4V, 1MHz
Esh1pdhe3/84a	-	RFQ	4358	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		900 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
SL510B	0.4500	RFQ	5	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		700 MV @ 5 A		50 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	350pf @ 4V, 1 MHz
BZV55-B43,115	0.2500	RFQ	1470	Nexperia USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	BZV55-B43		500 MW	Llds; Mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 30.1 V						43 V	150 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (166326)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²