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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | F450R12KS4BPSA1 | 134.5400 |  | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F450R12 | 355 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 70 A | 3.75V @ 15V, 50A | 5 Ma | Si | 3.4 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| IKFW40N65DH5XKSA1 | 5.2345 | | 6491 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 106 W | PG-HSIP247-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 40a, 14ohm, 15V | 64 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 53 A | 120 A | 2.25V @ 15V, 40A | 1.17MJ (Encendido), 500 µJ (apaguado) | 70 NC | 18ns/105ns | |||||||||||||||||||||
| FS75R12KT4BPSA2 | 153.0900 | | 9747 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS75R12 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 2.15V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| FS75R07N2E4B11BPSA1 | 115.4649 | | 8163 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS75R07 | 250 W | Estándar | Ag-ECONO2B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 75 A | 1.95V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| FF23MR12W1M1C11BPSA1 | - | | 9767 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | 344.5900 | | 4029 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F3L200 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de Tres Niveles | - | 1200 V | 150 A | 2.15V @ 15V, 150a | 1 MA | Si | 11.5 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| F4100R17N3P4B58BPSA1 | 247.2800 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F4100R | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | AG -ConO3B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor de puente entero | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 100 A | 2.25V @ 15V, 100A | 1 MA | Si | 9 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| FF225R12ME4B11BPSA2 | 172.9350 | | 1720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF225R12 | 1050 W | Estándar | Agóndo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 320 A | 2.15V @ 15V, 225a | 3 MA | Si | 13 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| F475R12KS4BPSA1 | 194.0000 | | 1500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F475R12 | 500 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 100 A | 3.75V @ 15V, 75a | 5 Ma | Si | 5.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| DF80R07W1H5FPB50BPSA1 | 39.4100 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FD1000R33HL3KB60BPSA1 | - | | 2398 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FD1000 | 1600000 W | Estándar | AG-IHVB190 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Picador de freno dual | Parada de Campo de Trinchera | 3300 V | 1000 A | 2.85V @ 15V, 1ka | 5 Ma | No | 190 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| FZ1000R33HE3B60BPSA1 | 1.0000 | | 5155 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FZ1000 | 1600000 W | Estándar | AG-IHVB130-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Interruptor Único | Parada de Campo de Trinchera | 3300 V | 1000 A | 3.1V @ 15V, 1ka | 5 Ma | No | 190 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| IFS200B12N3E4B37BPSA1 | 434.9280 | | 2379 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MIPAQ ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ifs200 | 20 MW | Estándar | AG -ConO3B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Puente completo | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 200 A | 2.1V @ 15V, 200a | 1 MA | Si | 14 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| F450R12KS4B11BPSA1 | 155.0500 | | 7944 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F450R12 | 355 W | Estándar | Ag-ECONO2C | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 70 A | 3.75V @ 15V, 50A | 1 MA | Si | 3.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| P3000Z45X168HPSA1 | 14.0000 | | 4006 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | - | - | - | P3000Z | Estándar | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | - | - | No | |||||||||||||||||||||||||||
| FP75R12N2T4BPSA1 | 217.6653 | | 7773 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 2.15V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| IGC193T120T12RMAX7SA1 | - | | 3114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PJMD990N65EC_L2_00001 | 6.8300 | | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | PJMD990 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 650 V | 4.7a (TC) | 10V | 990mohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 9.7 NC @ 10 V | ± 30V | 306 pf @ 400 V | - | 47.5W (TC) | ||||||||||||||||||
 | NVD260N65S3T4G | 1.2401 | | 2546 | 0.00000000 | onde | Superfet® III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 488-NVD260N65S3T4GTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 260mohm @ 6a, 10v | 4.5V @ 290 µA | 23.5 NC @ 10 V | ± 30V | 1042 pf @ 400 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||
 | FDMA410NZT-F130 | 0.9100 | | 3 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | 6-UDFN (2.05x2.05) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 9.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 9.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1310 pf @ 10 V | - | 900MW (TA) | ||||||||||||||||||||
| Nvtys014p04m8ltwg | 0.7453 | | 2298 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-lfpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-nvtys014p04m8ltwgtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 10.4a (TA), 53A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 25A, 10V | 3V @ 420 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 16900 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 88W (TC) | |||||||||||||||||||
| NXH50M65L4C2SG | 71.7400 | | 1484 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Módulo de 27 Potencias (1.858 ", 47.20 mm) | 20 MW | Rectificador de Puente de Una Sola Fase | 27 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 488-NXH50M65L4C2SG | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico | - | 650 V | 50 A | 2.2V @ 15V, 75a | 250 µA | Si | 4.877 nf @ 20 V | |||||||||||||||||||||
| 6MS30017E43W33015NOSA1 | - | | 9955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Modstack ™ HD | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | - | descascar | Alcanzar sin afectado | 448-6MS30017E43W33015NOSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de puente entero | - | 1700 V | 1800 A | - | No | ||||||||||||||||||||||||||
| CMPFJ175 PBFree | - | | 2550 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Cinta de Corte (CT) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SISS588DN-T1-GE3 | 1.3600 | | 6289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SISS588DN-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 16.9a (TA), 58.1a (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 28.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 40 V | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPA60R650CEE8210XKSA1 | - | | 8037 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220 Paqueto completo | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 9.9a (TC) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| CMLM8205 BK | - | | 4511 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-563 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMLM8205BK | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P | 50 V | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 20V | 70 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| Cms01p10ta-hf | 0.1592 | | 3018 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SQJQ184er-T1_GE3 | 3.6700 | | 451 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Ala de Gaviota | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 430a (TC) | 10V | 1.4mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 16009 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | DMN53D0LT-7 | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | DMN53 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 31-DMN53D0LT-7 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 50 V | 350MA (TA) | 2.5V, 10V | 1.6ohm @ 500 mA, 10V | 1.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 46 pf @ 25 V | - | 300MW (TA) |
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