SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
SIGC05T60SNCX7SA2 Infineon Technologies SIGC05T60SNCX7SA2 -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC05 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 4a, 67ohm, 15V Escrutinio 600 V 4 A 12 A 2.5V @ 15V, 4A - 22ns/264ns
SIGC06T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC06T60EX777SA1 -
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC06 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 10 A 30 A 1.9V @ 15V, 10a - -
SIGC25T60UNX7SA1 Infineon Technologies SIGC25T60UNX7SA1 -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC25 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 30A, 1.8OHM, 15V Escrutinio 600 V 30 A 90 A 3.15V @ 15V, 30a - 16ns/122ns
SIGC76T60R3EX7SA1 Infineon Technologies SIGC76T60R3EX7SA1 -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC76 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 150 A 450 A 1.9V @ 15V, 150a - -
SIGC14T60NCX7SA2 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA2 -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC14 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 300V, 15a, 18ohm, 15V Escrutinio 600 V 15 A 45 A 2.5V @ 15V, 15a - 21ns/110ns
CP232V-CEN1308-CT Central Semiconductor Corp CP232V-CEN1308-CT -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 Central de semiconductores - Banda Activo - CP232 - Alcanzar sin afectado 1514-CP232V-CEN1308-CT 0000.00.0000 1 - -
SIGC04T60EX1SA2 Infineon Technologies SIGC04T60EX1SA2 -
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC04 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 6 A 18 A 1.9V @ 15V, 6a - -
IRGC15B60KB Infineon Technologies IRGC15B60KB -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 600 V 15 A 1.35V @ 15V, 3A - -
IRGC100B60KB Infineon Technologies IRGC100B60KB -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir IRGC100 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 600 V 100 A 2.1V @ 15V, 100A - -
IRGC4067EFX7SA1 Infineon Technologies IRGC4067EFX7SA1 -
RFQ
 ECAD 3834 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo - Montaje en superficie Morir IRGC4067 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - 600 V 240 A - - -
IRG4CC50WC Infineon Technologies IRG4CC50WC -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Morir IRG4CC Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - 33 ns - 600 V 27 A - - -
IRG4CC80SB Infineon Technologies IRG4CC80SB -
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Morir IRG4CC Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - - 600 V - - -
IGC10T65U8QX1SA1 Infineon Technologies IGC10T65U8QX1SA1 -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo - - - IGC10 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - - -
IRGC20B60KB Infineon Technologies IRGC20B60KB -
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 600 V 20 A 1.3V @ 15V, 4A - -
CP206-2N4392-CT Central Semiconductor Corp CP206-2N4392-CT -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 Central de semiconductores * Banda Obsoleto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1514-CP206-2N4392-CT Obsoleto 400
IXTA1R6N100D2-TRL IXYS Ixta1r6n100d2-trl 2.0243
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Ixys Agotamiento Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IxtA1 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iesxa1r6n100d2-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1000 V 1.6a (TJ) 0V 10ohm @ 800mA, 0V 4.5V @ 100 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 645 pf @ 25 V - 100W (TC)
IXTA80N10T-TRL IXYS Ixta80n10t-trl 2.4137
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 Ixys Zanja Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta80 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-iesxa80n10t-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 14mohm @ 25A, 10V 5V @ 100 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3040 pf @ 25 V - 230W (TC)
IXYN120N65B3D1 IXYS Ixyn120n65b3d1 -
RFQ
 ECAD 4394 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixyn120 Estándar 830 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYN120N65B3D1 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 50A, 2ohm, 15V 28 ns PT 650 V 250 A 770 A 1.9V @ 15V, 100A 1.34mj (Encendido), 1.5mj (apaguado) 250 NC 30ns/168ns
IXXH140N65B4 IXYS Ixxh140n65b4 16.5613
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixxh140 Estándar 1200 W TO-247 (IXTH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXXH140N65B4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 4.7OHM, 15V 105 ns PT 650 V 340 A 840 A 1.9V @ 15V, 120a 5.75mj (Encendido), 2.67MJ (apaguado) 250 NC 54ns/270ns
IXFA72N30X3-TRL IXYS IXFA72N30X3-TRL 6.6640
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa72 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA72N30X3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 300 V 72a (TC) 10V 19mohm @ 36a, 10v 4.5V @ 1.5MA 82 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 25 V - 390W (TC)
IXGA48N60C3-TRL IXYS IXGA48N60C3-TRL 3.1631
RFQ
 ECAD 8261 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga48 Estándar 300 W TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXGA48N60C3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 400V, 30a, 3ohm, 15V 26 ns PT 600 V 75 A 250 A 2.5V @ 15V, 30a 410 µJ (Encendido), 230 µJ (apaguado) 77 NC 19ns/60ns
IXFA5N100P-TRL IXYS IXFA5N100P-TRL 3.6333
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa5n100 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA5N100P-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1000 V 5A (TC) 10V 2.8ohm @ 2.5a, 10V 6V @ 250 µA 33.4 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXYA30N120A4HV IXYS Ixya30n120a4hv 7.6136
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixya30 Estándar 500 W Un 263HV - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYA30N120A4HV EAR99 8541.29.0095 50 960V, 25a, 5ohm, 15V 42 ns PT 1200 V 106 A 184 A 1.9V @ 15V, 25A 4MJ (Encendido), 3.4MJ (apagado) 57 NC 15ns/235ns
IXXN340N65B4 IXYS Ixxn340n65b4 65.9640
RFQ
 ECAD 3966 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixxn340 Estándar 1500 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 238-IXXN340N65B4 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100a, 1ohm, 15V 65 ns PT 650 V 520 A 1200 A 1.7v @ 15V, 160a 4.4mj (Encendido), 2.2MJ (apagado) 553 NC 62ns/245ns
IXGP28N60A3M IXYS IXGP28N60A3M -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA IXGP28 Estándar 64 W Pestaña aislada de 220 - 238-IXGP28N60A3M EAR99 8541.29.0095 50 480V, 24a, 10ohm, 15V 26 ns PT 600 V 38 A 200 A 1.4V @ 15V, 24a - 66 NC 18ns/300ns
IXTA3N100D2-TRL IXYS Ixta3n100d2-trl 3.7112
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Ixys Agotamiento Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta3 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iesxa3n100d2-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1000 V 3A (TJ) 0V 6ohm @ 1.5a, 0V 4.5V @ 250 µA 37.5 NC @ 5 V ± 20V 1020 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 125W (TC)
IXYN300N65A3 IXYS Ixyn300n65a3 62.2420
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixyn300 Estándar 1500 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXYN300N65A3 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100a, 1ohm, 15V 125 ns PT 650 V 470 A 1600 A 1.6V @ 15V, 100A 7.8mj (Encendido), 4.7mj (apagado) 565 NC 42ns/190ns
MIXG330PF1200TSF IXYS Mixg330pf1200tsf 157.6067
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 Ixys - Caja Activo - - - Mixg330 - - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MIXG330PF1200TSF 3 - - -
IXGP48N60B3 IXYS IXGP48N60B3 -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixgp48 Estándar 300 W Un 220 - 238-IXGP48N60B3 EAR99 8541.29.0095 50 480v, 30a, 5ohm, 15V 25 ns PT 600 V 48 A 280 A 1.8v @ 15V, 32a 840 µJ (Encendido), 660 µJ (apaguado) 115 NC 22ns/130ns
IXTA3N110-TRL IXYS Ixta3n110-trl 4.3470
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta3 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iesxa3n110-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1100 V 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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