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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A 1.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 70 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 390v, 3a, 50ohm, 15V 29 ns - 600 V 17 A 40 A 2.7V @ 15V, 3a 37 µJ (Encendido), 25 µJ (apaguado) 21 NC 6ns/73ns
IRGP4740DPBF International Rectifier IRGP4740DPBF 2.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rectificador internacional - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 250 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 25 400V, 24a, 10ohm, 15V 170 ns - 650 V 60 A 72 A 2V @ 15V, 24a 520 µJ (Encendido), 240 µJ (apaguado) 70 NC 24ns/73ns
FDZ372NZ Fairchild Semiconductor FDZ372NZ 1.3600
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP Mosfet (Óxido de metal) 4-WLCSP (1x1) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 5,000 N-canal 20 V 4.7a (TA) 50mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 9.8 NC @ 4.5 V 685 pf @ 10 V - 1.7w (TA)
PN2369 Fairchild Semiconductor PN2369 -
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 535 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 40 @ 10mA, 1V -
FGH30N6S2 Fairchild Semiconductor FGH30N6S2 0.9500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 167 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 45 A 108 A 2.5V @ 15V, 12A 55 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 23 NC 6ns/40ns
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor FQPF9N50T 0.9600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 5.3a (TC) 10V 730mohm @ 2.65a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 50W (TC)
HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75332S3ST 0.4700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 60A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
FQNL2N50BBU Fairchild Semiconductor Fqnl2n50bbu -
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 500 V 350MA (TC) 10V 5.3ohm @ 175mA, 10V 3.7V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
FQU3N40TU Fairchild Semiconductor FQU3N40TU 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 400 V 2a (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
FGS15N40LTF Fairchild Semiconductor FGS15N40LTF 0.5100
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Estándar 2 W 8-Soico descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 - Zanja 400 V 130 A 8V @ 4V, 130a - -
NTD2955-001 onsemi NTD2955-001 -
RFQ
 ECAD 8005 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto NTD29 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75
HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor HUFA75309P3 0.2500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 19a (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
RJK0368DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0368DPA-00#J0 0.4400
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-wpak - No Aplicable EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 20A (TA) 14.3mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 1MA 6.2 NC @ 4.5 V 730 pf @ 10 V - 25W (TC)
FGH20N6S2D Fairchild Semiconductor FGH20N6S2D 0.7600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 125 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 390v, 7a, 25ohm, 15V 31 ns - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
FQPF30N06 Fairchild Semiconductor Fqpf30n06 0.5300
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 21a (TC) 10V 40mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 945 pf @ 25 V - 39W (TC)
FP7G50US60 Fairchild Semiconductor FP7G50US60 28.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Power-Spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis EPM7 250 W Estándar EPM7 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 11 Medio puente - 600 V 50 A 2.8V @ 15V, 50A 250 µA No 2.92 NF @ 30 V
FQP32N12V2 Fairchild Semiconductor FQP32N12V2 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 120 V 32A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1860 pf @ 25 V - 150W (TC)
RJK03B9DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK03B9DPA-00#J53 0.5100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-wpak - No Aplicable EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 30A (TA) 10.6mohm @ 15a, 10v - 7.4 NC @ 4.5 V 1110 pf @ 10 V - 25W (TC)
RJK0364DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0364DPA-00#J0 0.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Wpak (3) descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 35A (TA) 7.8mohm @ 17.5a, 10v - 10 NC @ 4.5 V 1600 pf @ 10 V - 35W (TC)
PMN50UPE,115 NXP USA Inc. PMN50UPE, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.6a (TA) 1.8V, 4.5V 66mohm @ 3.6a, 4.5V 900MV @ 250 µA 15.7 NC @ 10 V ± 8V 24 pf @ 10 V - 510MW (TA)
2N4400TF Fairchild Semiconductor 2N4400TF 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 50 @ 150mA, 1V -
2SK3634-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3634-Z-E1-AZ 1.0000
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (MP-3Z) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 6a (TC) 600mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 1MA 9 NC @ 10 V 270 pf @ 10 V -
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 125 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 390v, 7a, 25ohm, 15V 31 ns - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor Fqn1n50cbu -
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.447 N-canal 500 V 380MA (TC) 10V 6ohm @ 190ma, 10v 4V @ 250 µA 6.4 NC @ 10 V ± 30V 195 pf @ 25 V - 890MW (TA), 2.08W (TC)
FQI4N25TU Fairchild Semiconductor Fqi4n25tu 0.1900
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.175 N-canal 250 V 3.6a (TC) 10V 1.75ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250 µA 5.6 NC @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
HUF75337P3 Fairchild Semiconductor HUF75337P3 -
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 109 NC @ 20 V ± 20V 1775 pf @ 25 V - 175W (TC)
RFP45N06 Fairchild Semiconductor RFP45N06 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 45a (TC) 10V 28mohm @ 45a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 20 V ± 20V 2050 pf @ 25 V - 131W (TC)
HUF75531SK8T Fairchild Semiconductor HUF75531SK8T -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 6a (TA) 10V 30mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 82 NC @ 20 V ± 20V 1210 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
RJK0379DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK0379DPA-00#J5A 1.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-WFDFN PADERA EXPUESTA Mosfet (Óxido de metal) 8-wpak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 50A (TA) 2.3mohm @ 25A, 10V - 37 NC @ 4.5 V 5150 pf @ 10 V - 55W (TC)
BC32716BU Fairchild Semiconductor Bc32716bu 0.0400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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