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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25lq32engr | 0.9545 |  | 9190 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25lq32engrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | ||||||||
| N25Q00AA13G1241E | - | | 6210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24 lbGa | N25Q00AA13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-LPBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 256m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
| 7143LA90J8/S2418 | - | | 9347 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7143LA90J8/S2418TR | 1 | Volante | 32 kbits | 90 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 90ns | |||||||||
 | MT29F2G16ABBEAHC: E TR | - | | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | W74M25JWZPIQ TR | 3.7350 | | 8226 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W74M25 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W74M25JWZPIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | - | - | |||
| IS46TR16256BL-107MBLA1 | 8.9696 | | 8044 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16256BL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
| GD55T01GEB2RY | 16.8378 | | 8172 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55t | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55T01GEB2RY | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | |||||||||
| C-2933D4SR8N/16G | 109.5000 | | 5392 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2933D4SR8N/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT58L256L36FS-7.5 | 5.2800 | | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | Volante | 8mbit | 7.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
| W25q64jvzpaq | - | | 4091 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q64JVZPAQ | 1 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | |||||
 | CY7C1418TV18-267BZXC | 70.2100 | | 240 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1418 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | - | No Aplicable | 3A991B2A | 1 | 267 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||
 | IS46LD32128C-18BPLA1-TR | - | | 1891 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-vfbga | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46LD32128C-18BPLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volante | 4 gbit | 5.5 ns | Dracma | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
 | 24FC64F-I/MS | 0.5700 | | 9945 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 24FC64 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 24FC64FIMS | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 64 kbits | 400 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | ||
| NSEC00K008-ITJ | 23.2750 | | 1015 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | Nsec | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 100 lbGa | Flash - Nand (PSLC) | 3.3V | 100-BGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NSEC00K008-ITJ | 98 | 200 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | EMMC_5 | - | |||||||
 | MT53B256M32D1NP-062 AAT: C | - | | 9689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||||||
 | 7054L25PRF | - | | 8468 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 7054L25 | Sram - Puerto Cuádruple, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 128-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 32 kbits | 25 ns | Sram | 4k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | Cy7c1512av18-200bzi | - | | 1117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1512 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | IS61QDB21M36-250M3 | - | | 2396 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61QDB21 | Sram - Síncrono, Quad | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volante | 36 mbit | 7.5 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
 | W25q128jwsiq | 1.5927 | | 1700 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W25Q128 | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q128JWSIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | -, 3 ms | |||
| MT58L512Y32DT-6 | 18.9400 | | 122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L512Y32 | Sram | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 18mbit | 3.5 ns | Sram | 512k x 32 | Paralelo | - | |||
 | DS28E10P-W26+1T | - | | 4786 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | DS28E10 | EPROM - OTP | 2.8V ~ 3.6V | 6-TSOC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 224 bits | EPROM | 28 x 8 | 1 Alambre® | - | |||||
| CY7C1318KV18-333BZC | 30.6800 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1318 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
 | CY7C1513KV18-300BZI | - | | 9847 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1513 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
| W25Q16JWZPIQ | 0.5829 | | 1833 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q16 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q16JWZPIQ | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | |||
| MX25V16066M2J02 | 0.4416 | | 4369 | 0.00000000 | Macronix | - | Tubo | Activo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25V16066M2J02 | 92 | |||||||||||||||||||||
 | CY14B104M-ZSP45XI | 37.1900 | | 9879 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY14B104 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | No Volátil | 4mbit | 45 ns | Nvsram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
 | MX25U1632FBHI02 | 0.6088 | | 3817 | 0.00000000 | Macronix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-XFBGA, WLCSP | MX25U1632 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-WLCSP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1092-MX25U1632FBHI02TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 40 µs, 3 ms | ||
| MT62F1G64D8EK-031 AUT: B TR | 71.3850 | | 9640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||||||||
 | IS39LV040-70VCE | - | | 7245 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | IS39LV040 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 32-VSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
| MT53E768M32D2FW-046 AAT: C TR | 32.0250 | | 3941 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT: CTR | 2,000 |
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