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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
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![]() | IS49NLC36800-25EBLI | - | ![]() | 7191 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | W9425G6JB-5 | - | ![]() | 3995 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | W9425G6 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 209 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 55 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
![]() | MT42L16M32D1HE-18 IT: E | 5.7043 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | MT42L16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-vfbga (10x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT42L16M32D1HE-18IT: E | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.680 | 533 MHz | Volante | 512Mbit | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
![]() | AS7C1026B-15JCN | 3.1724 | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS7C1026 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
![]() | CY7C1010CV33-12ZXC | 3.8000 | ![]() | 958 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-cy7c1010cv33-12zxc | 80 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BQ4017MC-70 | 62.3300 | ![]() | 739 | 0.00000000 | Benchmarq | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Módulo de 36 Dips (0.610 ", 15.49 mm) | BQ4017 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | Módulo de 36 Dip | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Nvsram | 2m x 8 | Paralelo | 70ns | ||||||
![]() | SST26VF064B-104V/TD | - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST26 SQI® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | SST26VF064 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-SST26VF064B-104V/TD | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.5ms | ||||
![]() | MD27256-20/B | - | ![]() | 7207 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NV24C256MUW3VTBG | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | NV24C256 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-udfn (2x3) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 256 kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | |||
![]() | MT29F512G08CKCBBH7-6ITC: B | - | ![]() | 5927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 166 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||||
![]() | CAT28C17AK20 | - | ![]() | 5243 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-CAT28C17AK20-736 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BR93A46RF-WME2 | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BR93A46 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 2 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 64 x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
![]() | W25x40bvsnig | - | ![]() | 1919 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | W25x40 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 3 ms | ||||
![]() | 71421SA20PF | - | ![]() | 2496 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 71421SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volante | 16 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
![]() | Stk14ca8-rf45i | - | ![]() | 8020 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Stk14ca8 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 60 | No Volátil | 1 mbit | 45 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
![]() | CAT28C64BKI-15 | - | ![]() | 1254 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | CAT28C64 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | No Volátil | 64 kbits | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 5 ms | ||||
![]() | MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 TR | 16.7100 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53IT.112TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | A1545367-C | 17.5000 | ![]() | 2037 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A1545367-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25q80dlsnig tr | - | ![]() | 8964 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | W25Q80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q80DLSNIGTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 80 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 3 ms | ||
![]() | MT42L128M64D2LL-18 WT: A | - | ![]() | 9451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 216-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 533 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | ||||
![]() | D4EC-2400-16G-C | 195.0000 | ![]() | 6614 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-D4EC-2400-16G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100TFI000 | - | ![]() | 3233 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-1 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml02 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2832-S34ML02G100TFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 192 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
![]() | Cy7c1366b-166bgc | - | ![]() | 8509 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | CY7C1366 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
MT46V64M8CV-5B: J TR | - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||||
![]() | AS6C8016B-55BIN | 5.8702 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | AS6C8016 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS6C8016B-55BIN | EAR99 | 8542.32.0041 | 300 | ||||||||||||||||
W632GG6KB15J | - | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | W632GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | ||||
![]() | W66cq2nquahj tr | 6.6750 | ![]() | 3310 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | W66CQ2 | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W66CQ2NQUEHJTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Lvstl_11 | 18ns | ||
![]() | IS43R86400D-5TLI-TR | 7.8600 | ![]() | 8247 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
![]() | NDS73PT9-20AT | 3.9768 | ![]() | 3185 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NDS73PT9-20AT | 108 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGMFIR11 | 3.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL-S | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-S25FL128SAGMFIR11 | 200 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | Sin verificado |
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