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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NM24C04VM8 | 0.7700 |  | 7749 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | NM24C04 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 4 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 10 ms | |||
| FM24C17UFLM8 | 0.4100 | | 7782 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Fm24c17 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 15 ms | |||
 | AS4C512M8D4-75BIN | 9.3806 | | 6807 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | AS4C512 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x10.6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS4C512M8D4-75BIN | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.333 GHz | Volante | 4 gbit | 18 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | 500664-B21-C | 70.0000 | | 4627 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-500664-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 7006S35PF8 | - | | 1972 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 7006S35 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 128 kbit | 35 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 IT: B | 50.2800 | | 5505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023IT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||||||||
| MT41K512M16VRP-107 IT: P TR | 15.2250 | | 9429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | - | 557-MT41K512M16VRP-107IT: PTR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||||
 | 25AA1024T-I/SM | 4.4000 | | 3945 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | 25AA1024 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soij | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2,100 | 20 MHz | No Volátil | 1 mbit | Eeprom | 128k x 8 | SPI | 6 ms | ||||
 | Cy62146ell-45zsxat | - | | 4271 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62146 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
 | CY7C1470V33-167BZXI | 142.1400 | | 97 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1470 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volante | 72Mbit | 3.4 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | 881901-B21-C | 615.0000 | | 5216 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-881901-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS46TR16128B-125KBLA1-TR | - | | 3135 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT58L512L18PF-7.5 | 17.7000 | | 245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT58L512L18 | Sram - Sincónnico | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 8mbit | 4 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | S28HL01GTFPBHI030 | 22.9700 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HL-T | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | S28HL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||||
 | W25N02JWZEIC | 5.1852 | | 2972 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25N02 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N02JWZEIC | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 8 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 700 µs | ||
 | Mt29c4g48mazapakq-5 it | - | | 9155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT29C4G48 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| IS49NLC96400A-18WBL | 52.0065 | | 8723 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC96400A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volante | 576Mbit | 15 ns | Dracma | 64m x 9 | Hstl | - | |||||
| 647869-B21-C | 22.5000 | | 1042 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-647869-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT53E2DBDS-DC | 22.5000 | | 1693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E2 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2DBDS-DC | 1.360 | ||||||||||||||||||||
 | SST39VF1602C-70-4I-B3KE | 1.9350 | | 5836 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST39 MPF ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | SST39VF1602 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 1m x 16 | Paralelo | 10 µs | ||||
| MT53E4D1BHJ-DC | 22.5000 | | 8794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E4 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E4D1BHJ-DC | 1.360 | ||||||||||||||||||||
| Int06k0423 | - | | 7887 | 0.00000000 | IBM | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||
| CG8404AAT | - | | 8700 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 750 | ||||||||||||||||||
 | CY7C1550KV18-450BZC | 228.9200 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1550 | Sram - Síncrono, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
| M29F800FT55M3F2 TR | - | | 7551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | M29F800 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | No Volátil | 8mbit | 55 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | MT29F32G08AFABAWP: B TR | - | | 9168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | CAT93C57V-26528 | 0.1700 | | 1 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT93C57 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8, 128 x 16 | Microondas | - | ||||
 | CY15V108QN-20LPXI | 33.6350 | | 4074 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon ™ -LP, F -RAM ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-UQFN | CY15V108 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 1.71V ~ 1.89V | 8-GQFN (3.23x3.28) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 980 | 20 MHz | No Volátil | 8mbit | Fram | 1m x 8 | SPI | - | ||||
| AK93C45AV | - | | 2520 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/AKM | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | AK93C45 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 64 x 16 | SPI | - | |||||||
| MX25S6473FZCI42 | 1.8684 | | 2868 | 0.00000000 | Macronix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25S6473FZCI42TR | 9,000 |
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