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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S29GL512T11FHIV30 | 10.6700 |  | 336 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-T | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-S29GL512T11FHIV30 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 47 | No Volátil | 512Mbit | 110 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 60ns | Sin verificado | ||
 | IS43R16160F-6TLI-TR | 2.6967 | | 7512 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | 70V24L20JGI8 | 42.4681 | | 2539 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | 70V24L | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volante | 64 kbits | 20 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
 | MT29F2G16AADWP: D TR | - | | 8398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | |||||
| W25Q80DVWS | - | | 4224 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | - | - | W25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | - | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q80DVWS | 1 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 3 ms | |||||
 | W632gg6nb09i tr | 4.7100 | | 6158 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W632GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W632GG6NB09ITR | EAR99 | 8542.32.0036 | 3.000 | 1.066 GHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
 | IS61C6416Al-12TLI | 2.4500 | | 4 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS61C6416 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | ||||
 | 70V25L35PFG8 | - | | 7061 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V25L | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70V25L35PFG8TR | Obsoleto | 750 | Volante | 128 kbit | 35 ns | Sram | 8k x 16 | Lvttl | 35ns | |||||||
 | CY62128VL-70ZAC | 1.5000 | | 428 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 mm de Ancho) | CY62128 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 32-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | IDT71P74804S250BQ8 | - | | 6560 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71P74 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71P74804S250BQ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | Volante | 18mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
 | S29GL01GS11DHV020 | 14.6100 | | 260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 1 gbit | 110 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
| 71V25761S183PFI | 2.0100 | | 7372 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v25761 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20) | - | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 2156-71V25761S183PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 183 MHz | Volante | 4.5Mbit | 5.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |
| MD27C64-20 | - | | 9091 | 0.00000000 | Intel | - | Una granela | Activo | MD27C | - | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT47H64M8JN-25E: G | - | | 2160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| S25FL116K0XNFV010 | 0.5200 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-S25FL116K0XNFV010 | 574 | ||||||||||||||||||||||
 | CY62138CV30LL-55BVI | 1.3400 | | 7166 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36-vfbga | CY62138 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.3V | 36-vfbga (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 2 mbit | 55 ns | Sram | 256k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | W25q32jvzejm | - | | 1704 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
| IS65WV102416EBLL-55BLA3 | 9.6935 | | 6435 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3 | 480 | Volante | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | |||||||
| MT40A512M8SA-062E: F TR | 8.3250 | | 7717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | 557-MT40A512M8SA-062E: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 8 | Vana | 15ns | ||||||||
 | 709099L7PF | - | | 4199 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 709099L | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 1 mbit | 7 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53E1G16D1Z42NWC1 | 18.5900 | | 4472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT53E1G16D1Z42NWC1 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | Cy7C1414AV18-200BZC | - | | 3703 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1414 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | R1LV0816ASB-7SI#B0 | - | | 3168 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | R1LV0816A | Sram | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 8mbit | 70 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| IS43LQ16128Al-062BLI | - | | 2173 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16128Al-062BLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||
| M30162040108x0pway | 44.9063 | | 1632 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | M30162040108 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800-M30162040108x0pway | EAR99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 MHz | No Volátil | 16mbit | RAM | 4m x 4 | - | - | ||||
| Mx66uw2g345gxri00 | 27.0600 | | 4223 | 0.00000000 | Macronix | - | Banda | Activo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX66UW2G345GXRI00 | 480 | |||||||||||||||||||||
| MT29F1T08EELEJ4-QA: E TR | 26.4750 | | 8139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-QA: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | S25FL512SDSMFM010 | 13.9500 | | 476 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 80 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
 | Mtfc4glgdq-it a | 9.2611 | | 7047 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MTFC4GLGDQ-ATA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | Cy7c1011dv33-10bvit | - | | 1972 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | Cy7C1011 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 10ns |
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