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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EDB8132B4PM-1DAT-FR TR | - |  | 3813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | EDB8132 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-FBGA (12x12) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | - | |||||
 | MT46H4M32LFB5-6 EN: K TR | - | | 5356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H4M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | IS62WV2568EBLL-45BLI-TR | 2.2026 | | 2163 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36-TFBGA | IS62WV2568 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volante | 2 mbit | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Paralelo | 45ns | Sin verificado | |||
 | IS25LQ032B-JLLE | - | | 4303 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25LQ032 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 1 m | ||||
 | BR24C02FJ-WE2 | 0.6696 | | 4592 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BR24C02 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-SOP-J | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 10 ms | ||||
 | BR93G76NUX-3TTR | 0.2484 | | 1717 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | BR93G76 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | VSON008X2030 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8, 512 x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
 | 70T633S15BC8 | 288.3422 | | 4757 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70T633 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 2.4V ~ 2.6V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 9 MBIT | 15 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | 15ns | ||||
 | S99FL127SABMFI101 | - | | 9054 | 0.00000000 | Analog Devices Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S99FL127SABMFI101 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CAT34C02HU4I-GTK | 0.1800 | | 52 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-CAT34C02HU4I-GTK-488 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 71V416S12PH | - | | 9847 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | 71v416s | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 12ns | ||||
| 25AA160A-I/W15K | - | | 7247 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 25AA160 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
| 71256S25ygi8 | - | | 9902 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | - | 800-71256S25YGI8TR | 1 | Volante | 256 kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 25ns | |||||||||
 | IS65WV12816BLL-55TLA3 | 4.6436 | | 4136 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS65WV12816 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 2 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | Cy7C1470BV25-200BZC | - | | 7367 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1470 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volante | 72Mbit | 3 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
| W632GG6AB-15 | - | | 7614 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | W632GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MEM-DR340L-SL04-ER13-C | 27.5000 | | 4596 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM-DR340L-SL04-ER13-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STK14CA8-RF25TR | - | | 5226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Stk14ca8 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-ssop | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | No Volátil | 1 mbit | 25 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
| S25HL02GTFABHV150 | 22.0683 | | 9274 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-S25HL02GTFABHV150 | 1.300 | |||||||||||||||||||
 | S34MS04G200TFI000 | - | | 8858 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34MS04 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4 gbit | 45 ns | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | SST39VF040-70-4C-B3KE | - | | 8791 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST39 MPF ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | SST39VF040 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 20 µs | ||||
 | CY7C1329S-133AXC | 5.4100 | | 262 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1329 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.15V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | No Aplicable | 3A991B2A | 56 | 133 MHz | Volante | 2 mbit | 4 ns | Sram | 64k x 32 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
 | STK12C68-5K55M | - | | 6765 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | STK12C68 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 28 CDIP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 26 | No Volátil | 64 kbits | 55 ns | Nvsram | 8k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | 93LC86BT-I/SN | 0.5600 | | 1253 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93LC86 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 1k x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
 | IS49RL18320-093BLI | - | | 9938 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168 lbga | IS49RL18320 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 10 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | |||
 | AS7C32098A-20TCNTR | 4.4831 | | 9914 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | AS7C32098 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 2 mbit | 20 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
| IS46QR81024A-083TBLA2-TR | 19.6175 | | 9373 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46QR81024A-083TBLA2-TR | 2,000 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | IS43LR16320B-6BLI-TR | - | | 9237 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS43LR16320 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | Volante | 512Mbit | 5.5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | M29F400BB70N3T | - | | 6984 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29F400 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT41K256M16TW-107 IT: P | 5.8903 | | 9348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1.224 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MR5A16AMA35R | 64.0950 | | 6044 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | MR5A16 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (10x10) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 819-MR5A16AMA35RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 32Mbit | 35 ns | RAM | 2m x 16 | Paralelo | 35ns |
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