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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC32GAKAEEF-O1 AIT TR | - |  | 7103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-TFBGA | Mtfc32g | Flash - nand | - | 169-TFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | DS1245WP-100+ | 34.7088 | | 1956 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Módulo 34-PowerCap ™ | DS1245W | Nvsram (sram no volátil) | 3V ~ 3.6V | Módulo de 34 Powercap | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -4941-DS1245WP-100+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | No Volátil | 1 mbit | 100 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 100ns | |||
 | Mx25u25635fxdi-10g | - | | 1246 | 0.00000000 | Macronix | Mx25xxx35/36 - mxsmio ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MX25U25635 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 24-CSPBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 3 ms | ||||
 | 93C76BT-I/MS | - | | 4621 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 93C76 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 512 x 16 | Microondas | 2 ms | ||||
 | MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR | 29.4000 | | 7673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATESTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | W987D6HBGX7E | - | | 8443 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | W987D6 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 312 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | AT27C010-15pc | - | | 7027 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | AT27C010 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT27C01015pc | EAR99 | 8542.32.0061 | 12 | No Volátil | 1 mbit | 150 ns | EPROM | 128k x 8 | Paralelo | - | |||
 | Mx29f040cti-70g | 4.3700 | | 10 | 0.00000000 | Macronix | Mx29f | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MX29F040 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | AS4C64M8D3-12BIN | 4.8188 | | 8635 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TA) | Montaje en superficie | 78-vfbga | AS4C64 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1430 | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 800 MHz | Volante | 512Mbit | 20 ns | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | |||
 | CY62167DV30LL-55ZXI | 17.6700 | | 63 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | CY62167 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | 17 | Volante | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | Sin verificado | ||||||||
 | IS61DDB41M36A-300M3LI | - | | 2884 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61DDB41 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | Volante | 36 mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
| AS7C34098B-10BAN | 5.2554 | | 2315 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS7C34098B-10BAN | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
 | R1EX24004ATAS0A#S0 | 0.8200 | | 42 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | R1EX24004 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |||||
 | GS8662D18BGD-400I | 194.5700 | | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 165 lbGa | GS8662D | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2364-GS8662D18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | |||
 | S29GL512S10TFI020 | 9.1200 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-S29GL512S10TFI020 | 55 | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 60ns | Sin verificado | ||||||
| AS4C256M16D3LC-10BAN | 14.6900 | | 209 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS4C256M16D3LC-10BAN | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | IS42VM32400E-75BLI-TR | - | | 5365 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42VM32400 | Sdram - móvil | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | - | |||
 | 7132LA55P | - | | 1231 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 48-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | 7132la | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 48 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 7 | Volante | 16 kbits | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | BR25H040FVM-2CTR | 0.5700 | | 7839 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) | BR25H040 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 4ms | ||||
 | CAT28LV64GI-25T | - | | 8605 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | CAT28LV64 | Eeprom | 3V ~ 3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 28LV64GI-25T | EAR99 | 8542.32.0051 | 500 | No Volátil | 64 kbits | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 5 ms | ||||
| S25FL256SAGNFM000 | 8.9250 | | 4589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6.5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 750 µs | |||||||
 | 4ZC7A08701-C | 29.5000 | | 4285 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-4ZC7A08701-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STK17T88-RF45I | - | | 6114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | STK17T88 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 60 | No Volátil | 256 kbit | 45 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | H26M52208FPRI | - | | 7984 | 0.00000000 | NetList Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-BGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | - | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 2655-H26M52208Fpritr | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||
 | 70V9179L9PF8 | - | | 3589 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70v9179 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 288 kbit | 9 ns | Sram | 32k x 9 | Paralelo | - | ||||
| J9P81AA-C | 122.5000 | | 3904 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-J9P81AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| W979H2KBQX2E | - | | 6304 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | W979H2 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 168 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||||
| R1LV1616HSA-4SI#S1 | - | | 5209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | R1LV1616HSA-I | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | R1LV1616H | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 559-R1LV1616HSA-4SI#S1TR | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 45 ns | Sram | 1m x 16, 2m x 8 | Paralelo | 45ns | |||
| C-2933D4SR8S/8G | 91.2500 | | 6807 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2933D4SR8S/8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT29F32G08CBADAWP: D TR | - | | 9907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - |
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