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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S29AS016J70YEI119 | - |  | 6590 | 0.00000000 | Infineon Technologies | As-j | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | S29AS016 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | Objeto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 25 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | CAT24C32WGI-26758 | - | | 8460 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT24C32 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | No Volátil | 32 kbits | 400 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | AT25128T2-10TC-2.7 | - | | 9523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT25128 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 20-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 74 | 3 MHz | No Volátil | 128 kbit | Eeprom | 16k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | AT27LV512A-12RC | - | | 9544 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-SOICO (0.342 ", 8.69 mm de ancho) | AT27LV512 | EPROM - OTP | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | AT27LV512A12RC | EAR99 | 8542.32.0061 | 26 | No Volátil | 512 kbit | 120 ns | EPROM | 64k x 8 | Paralelo | - | |||
| CG10167AAT | - | | 3802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | - | Alcanzar sin afectado | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CAT24C02YE-GT3A | - | | 1282 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | CAT24C02 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | AT29C256-90JI-T | - | | 8408 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT29C256 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | No Volátil | 256 kbit | 90 ns | Destello | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||
 | IDT71V67802S133PF8 | - | | 5280 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V67802 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67802S133PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
 | 93LC46B-I/SN15KVAO | - | | 9674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93LC46 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 64 x 16 | Microondas | 6 ms | |||||
| MT46V32M16P-5B AIT: J | - | | 1750 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.080 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | 71V3557S85PFGI | 9.4300 | | 372 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71V3557 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4.5Mbit | 8.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||||||
 | AT24C04-10PI-1.8 | - | | 9450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT24C04 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT24C0410PI1.8 | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | AT29C020-12JC | - | | 3820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT29C020 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | Q1120753 | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | No Volátil | 2 mbit | 120 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 10 ms | |||
 | MT29F128G08CBEABH6-12M: A TR | - | | 9078 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | IS46TR81280C-125JBLA25-TR | - | | 4470 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46TR81280C-125JBLA25-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| 71V67603S166PF | 4.5000 | | 5 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v67603 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | At25160ay1-10yi-1.8 | - | | 4421 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | AT25160 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8 MAPAS (3x4.9) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | At25160ay110yi1.8 | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | 20 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | |||
| IDT71V3559S80PF | - | | 4683 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V3559 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3559S80PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Volante | 4.5Mbit | 8 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
| 7102797-C | 47.5000 | | 9519 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-7102797-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT29E2T08CUHBBM4-3es: B TR | - | | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E2T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | 93c76a-e/st | - | | 8152 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93C76 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8 | Microondas | 2 ms | ||||
 | DS1250W-150+ | - | | 6454 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Módulo de 32 DIPAS (0.600 ", 15.24 mm) | DS1250W | Nvsram (sram no volátil) | 3V ~ 3.6V | 32 Edip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | No Volátil | 4mbit | 150 ns | Nvsram | 512k x 8 | Paralelo | 150ns | ||||
 | MT44K16M36RB-093 IT: A TR | - | | 2468 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 10 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | PCA24S08D, 112 | - | | 6234 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | PCA24 | Eeprom | 2.5V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8 | I²C | - | ||||
 | IS43DR82560C-25DBLI | 17.1700 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1572 | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| 47C16-I/W16K | - | | 6958 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 47C16 | EEPROM, SRAM | 4.5V ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 16 kbits | 400 ns | Eeram | 2k x 8 | I²C | 1 m | |||
 | A0740416-C | 17.5000 | | 4058 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A0740416-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1413KV18-300BZC | - | | 7214 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1413 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 7 | 300 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||||
| SM662GXB-ACS | - | | 9755 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Banda | Obsoleto | SM662 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
| CY7C1268KV18-550BZXC | 82.6300 | | 131 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1268 | Sram - Síncrono, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 1 | 550 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado |
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