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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EMF8132A3PF-DV-FR TR | - |  | 7499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | EMF8132 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | AT93C46R-10SI-2.5 | - | | 6817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93C46 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Serie de 3 Hilos | 10 ms | |||
 | IS65C1024Al-45QLA3-TR | 4.1213 | | 2117 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) | IS65C1024 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 45 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
| CYD09S72V18-167BGXI | 152.5200 | | 59 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FullFlex ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 484-BGA | Sram - Puerto Dual, Estándar | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 484-PBGA (23x23) | - | 2156-CYD09S72V18-167BGXI | 2 | 167 MHz | Volante | 9 MBIT | 11 ns | Sram | 128k x 72 | Lvttl | - | |||||||
 | GD25Q40CSIGR | 0.5200 | | 7 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q40 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
 | S29GL256S10TFA020 | 7.6825 | | 1240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 910 | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| CAT64LC40VI-GT3 | 0.1400 | | 3 | 0.00000000 | onde | CAT64LC40 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Eeprom | 2.5V ~ 6V | 8-Soico | - | 2156-CAT64LC40VI-GT3 | 2,219 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 500 ns | Eeprom | 256 x 16 | SPI | 5 ms | |||||||
 | 709279L9PF | - | | 4971 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 709279L | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 512 kbit | 9 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | - | |||
| S25FL256SAGNFM003 | 8.9250 | | 9008 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6.5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 750 µs | ||||||
 | IS21ES32G-Jcli | - | | 9123 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | IS21ES32 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21ES32G-Jcli | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC | - | ||
 | MT53D1024M64D8NW-062 WT ES: D TR | - | | 6189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | ||||
 | IS25LP020E-JYLE-TR | 0.3100 | | 3706 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | IS25LP020 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP020E-JYLE-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 8 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 1.2 ms | |
 | AT34C02Y1-10YI-2.7 | - | | 3427 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | AT34C02 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8 MAPAS (3x4.9) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT34C02Y1-10YI2.7 | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |
 | W988d2fbjx6i tr | - | | 7921 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | W988D2 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | 7140SA35PF8 | - | | 4625 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 7140SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 8 kbits | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 35ns | |||
 | FM25V20-DG | - | | 2173 | 0.00000000 | Infineon Technologies | F-RAM ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | FM25V20 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2V ~ 3.6V | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 74 | 40 MHz | No Volátil | 2 mbit | Fram | 256k x 8 | SPI | - | |||
| 7130SA12PDG | - | | 9740 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 48-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 48 PDIP | - | 800-7130SA12PDG | 1 | Volante | 8 kbits | 12 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||||||
 | MT47H32M16NF-187E: H TR | - | | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 533 MHz | Volante | 512Mbit | 350 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| CY15B104QI-20LPXCT | 21.6650 | | 4449 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon ™ -LP, F -RAM ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-UQFN | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 1.8v ~ 3.6V | 8-GQFN (3.23x3.28) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 2.500 | 20 MHz | No Volátil | 4mbit | 20 ns | Fram | 512k x 8 | SPI | - | ||||
 | MT48LC16M16A2P-6A XIT: G | - | | 6287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.080 | 167 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 12ns | ||
 | IS42S16100C1-6T | - | | 5988 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 50-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | Volante | 16mbit | 5.5 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - | ||
 | S29GL256S90DHSS10 | 6.9825 | | 7655 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.600 | No Volátil | 256Mbit | 90 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| IS25WX064-JHLA3 | 2.5760 | | 9562 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25WX064 | Destello | 1.7v ~ 2v | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WX064-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
 | 71V67803S133BQG | 28.7073 | | 2559 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v67803 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
| IS43LD32320D-18BLI | 9.5600 | | 2811 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD32320D-18BLI | 171 | |||||||||||||||||||
 | IS46DR16640C-25DBLA1 | 6.1065 | | 7965 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS42SM32200KWS | - | | 4366 | 0.00000000 | Corpacia semtech | - | Una granela | Obsoleto | - | 600-IS42SM32200KWS | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT41K512M16HA-107: A | - | | 1214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | ||
 | 70V9079L6PFG | - | | 7895 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V9079 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 256 kbit | 6.5 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | - | |||
| 71V3577S80PFGI | 8.1078 | | 3872 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v3577 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | Volante | 4.5Mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - |
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