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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43R16800E-5TLI | 2.6286 |  | 2418 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R16800 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | 70V3599S166DR | - | | 2374 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-BFQFP | 70V3599 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 208-PQFP (28x28) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.6 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT46H4M32LFB5-6 EN: K | - | | 8218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H4M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | CY7C25652KV18-450BZI | 313.7050 | | 5883 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C25652 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
 | 93LC86B-E/ST | - | | 4368 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93LC86 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 1k x 16 | Microondas | 5 ms | |||
 | IDT71T016SA15BF | - | | 3139 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | IDT71T016 | Sram - Asínncrono | 2.375V ~ 2.625V | 48-Cabga (7x7) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71T016SA15BF | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | - | | 1566 | 0.00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MB85R256 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2.7V ~ 3.6V | - | - | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | No Volátil | 256 kbit | 150 ns | Fram | 32k x 8 | Paralelo | 150ns | |||||
 | AS7C1024B-12JCN | 4.0100 | | 158 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS7C1024 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1042 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||
 | IS43LR16320C-6BL-TR | 5.9250 | | 3402 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS43LR16320 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | Volante | 512Mbit | 5.5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| 24fc01t-i/st | 0.2700 | | 7313 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 24FC01 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | 450 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | CY14B101L-SZ45XCT | - | | 1547 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | CY14B101 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | No Volátil | 1 mbit | 45 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
| 7007S25J/C | - | | 8035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7007S25 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volante | 256 kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | 7142LA20JG8 | 24.2985 | | 8682 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 7142la | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 400 | Volante | 16 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 20ns | |||
 | IS61C64Al-10JLI | 1.3059 | | 7629 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | IS61C64 | Sram - Asínncrono | 4.75V ~ 5.25V | 28-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Volante | 64 kbits | 10 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 10ns | |||
 | 24AA025T-I/OT | 0.3400 | | 6015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | 24AA025 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | MT49H8M36SJ-25E: B TR | - | | 3530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | ||
| 25A512-I/ST | 2.2950 | | 5152 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 25A512 | Eeprom | 1.7V ~ 3V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | No Volátil | 512 kbit | Eeprom | 64k x 8 | SPI | 5 ms | |||
 | Nand08gw3c2bn6e | - | | 6298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand08g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand08gw3c2bn6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 8 gbit | 25 ns | Destello | 1g x 8 | Paralelo | 25ns | ||
 | IS61LPS25618A-200TQI | - | | 6316 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61LPS25618 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.1 NS | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||
| IS46R16320E-5TLA1 | 7.9881 | | 9746 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS46R16320 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | BR24L32FJ-WE2 | 1.0800 | | 78 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BR24L32 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-SOP-J | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | No Volátil | 32 kbits | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | 709159L7PF8 | - | | 9411 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 709159L | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 72 kbits | 7 ns | Sram | 8k x 9 | Paralelo | - | |||
| MT28HL32GQBB6EBL-0GCT | - | | 5850 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT28HL32 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||
 | SST25PF080B-80-4C-QAE-T | - | | 1972 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST25 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | SST25PF080 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 80 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 10 µs | ||||
 | 70V05S25PF8 | - | | 2538 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 70V05S | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 64 kbits | 25 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 25ns | |||
 | MT29E1T208ECHBBJ4-3: B | - | | 1986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29E1T208 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 1.125tbit | Destello | 144g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | AT24C128N-10SC-2.7 | - | | 3313 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT24C128 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT24C128N-10SC2.7 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 10 ms | |
 | 70T3539MS133BCI8 | 458.1812 | | 4447 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70T3539 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 4.2 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||
| CY62148ElL-55SXIT | 9.7000 | | 9700 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) | CY62148 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 55ns | |||
 | PC28F256M29EWHD | - | | 8334 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2266-PC28F256M29EWHD | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 100ns |
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