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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M25P40-VMB3TPB TR | - |  | 5118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | M25P40 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-UFDFPN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | S29gl128p10ffis10 | 7.6800 | | 8540 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | No Volátil | 128 Mbbit | 100 ns | Destello | 16m x 8 | Paralelo | 100ns | |||
 | 70V3399S133BCI8 | 197.0600 | | 5351 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70V3399 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 2 mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 18 | Paralelo | - | ||
| MT47H128M8SH-25E IT: M TR | 3.7664 | | 2814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT47H128M8SH-25EIT: MTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |
| MTFC64Gasaons-AAT | 41.4750 | | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64Gasaons-AAT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
 | Fm93c66lvmt8 | - | | 8439 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93C66 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 250 kHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 256 x 16 | Microondas | 15 ms | |||
| MT62F1536M64D8EK-023 AIT: B TR | 86.2050 | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT: BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||||||||
| 71321SA17TFI8 | - | | 6668 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (10x10) | - | 800-71321SA17TFI8TR | 1 | Volante | 16 kbits | 17 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 17ns | ||||||||
| A2257216-C | 125.0000 | | 9770 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A2257216-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | DS2432P-W0A+1T | - | | 9531 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | DS2432 | Eeprom | 2.8V ~ 5.25V | 6-TSOC | - | ROHS3 Cumplante | 175-DS2432P-W0A+1TTR | Obsoleto | 4.000 | No Volátil | 1 kbit | 2 µs | Eeprom | 1k x 1 | 1 Alambre® | 10 ms | |||||
 | MT40A256M16GE-062E: B | - | | 1604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
| 93Z451LMQB | 19.6700 | | 177 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-LCC (J-Lead) | - | 4.75V ~ 5.25V | 28-PLCC (11.43x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8 kbits | 55 ns | Paseo | 1k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | IDT71V416L12PH | - | | 3403 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IDT71V416 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V416L12PH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 12ns | ||
 | Cat93c46ryi-G | - | | 9266 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | CAT93C46 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 4 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microondas | - | ||||
 | IS63LV1024-10KI | - | | 4080 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS63LV1024 | Sram - Asínncrono | 3.15V ~ 3.45V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 10ns | |||
| S29PL064J60BFI070 | 7.9800 | | 6134 | 0.00000000 | Infineon Technologies | PL-J | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29PL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-VfBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
 | Cy7c1011dv33-10bvxi | 6.6900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | Cy7C1011 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 10ns | |||
 | 71V35761S183BGG8 | - | | 7619 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71v35761s | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 183 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.3 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
| 70V05L20J8 | - | | 4955 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 70V05L | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volante | 64 kbits | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 20ns | |||
 | CAT24C64WI | - | | 1806 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-cat24c64wi-736 | 1 | |||||||||||||||||||
| S29GL01GS11TFB010YZK000 | - | | 8322 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | - | 1 | No Volátil | 1 gbit | 110 ns | Destello | 128m x 8 | CFI | 60ns | |||||||||
 | W25Q40EWSNBG | - | | 5141 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | W25Q40 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q40EWSNBG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 30 µs, 800 µs | |||
| N24c256c6dyt3g | 0.5200 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | N24C256 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 6-WLCSP (1.09x0.96) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-N24C256C6DYT3G | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 1 MHz | No Volátil | 256 kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | AT28BV256-20SU | 12.9300 | | 5436 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28BV256 | Eeprom | 2.7V ~ 3.6V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT28BV25620SU | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | No Volátil | 256 kbit | 200 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||
 | 23A1024-I/ST | 2.7400 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 23A1024 | Sram | 1.7V ~ 2.2V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Volante | 1 mbit | Sram | 128k x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| GD55T01GEF2RR | 16.4782 | | 6100 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55t | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 1970-GD55T01GEF2RRTR | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
 | AT25SF041-SSHD-T | - | | 9286 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25SF041 | Flash - Ni | 2.5V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 5 µs, 2.5 ms | |||
 | IS61WV6416EEBLL-10BLI | 1.6819 | | 6894 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS61WV6416 | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 10ns | |||
 | 24FC01-E/SN36KVAO | - | | 2005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24FC01 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-24FC01-E/SN36KVAO | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | 450 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | |||
| 70V3569S4DRG | 116.5827 | | 8969 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-BFQFP | 70V3569 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 208-PQFP (28x28) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 576 kbit | 4.2 ns | Sram | 16k x 36 | Paralelo | - |
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