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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S34ML08G201BHI003 | - |  | 9922 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | S34ml08 | - | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 2120-S34ML08G201BHI003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | Sin verificado | ||||||||||||||||
 | 71T75602S150BGI | 43.1361 | | 3068 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71T75602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 150 MHz | Volante | 18mbit | 3.8 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
| 44T1599-C | 32.5000 | | 6557 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-44T1599-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| EDFP112A3PB-JD-FD TR | - | | 8830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 192m x 128 | Paralelo | - | |||||
| AS4C4M16SB-6TIN | 2.7179 | | 9444 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS4C4M16 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS4C4M16SB-6TIN | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5 ns | Dracma | 4m x 16 | Lvttl | 12ns | ||
| AT8358H03-IWE1D | - | | 4910 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 150-AT8358H03-IWE1DTR | Obsoleto | 1,000 | |||||||||||||||||||
| S25HS512TDPNHM010 | 12.9850 | | 4592 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.690 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
 | AT25DF321A-MH-T | 3.6000 | | 112 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | AT25DF321 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-udfn (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 100 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 256 bytes x 16384 Páginas | SPI | 7 µs, 3 ms | ||||
| A2338125-C | 37.5000 | | 6261 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A2338125-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S25HS512TDPBHM010 | 12.6000 | | 3792 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 24-BGA (8x6) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
| S25FL128LAGNFM010 | - | | 2513 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S25FL128LAGNFM010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| DS2433X-300-EC+ | - | | 3404 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-xbga, fcbga | DS2433 | Eeprom | - | 6-Flipchip (2.82x2.54) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | No Volátil | 4 kbits | 2 µs | Eeprom | 256 x 16 | 1 Alambre® | - | ||||
 | MTFC8GACAENS-K1 AIT TR | - | | 1461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | |||||
| S29WS128N0PBFW013 | - | | 7090 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| CG7961AF | - | | 4726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 9,000 | ||||||||||||||||||
 | IS34ML04G081-TLI | 11.7000 | | 8 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | IS34ml04 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1634 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4 gbit | 25 ns | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | |||
 | CY62167DV20LL-55BVI | 4.5000 | | 120 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL2 ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY62167 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 48-vfbga (8x9.5) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
| A4105734-C | 62.5000 | | 4413 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A4105734-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1019B-12VC | - | | 2364 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1019 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||
 | MB85RC64TAPNF-G-BDE1 | 1.3102 | | 4946 | 0.00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MB85RC64 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 1.8v ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 3.4 MHz | No Volátil | 64 kbits | 130 ns | Fram | 8k x 8 | I²C | - | ||||
 | IS61NLF51218A-7.5B3I-TR | - | | 3961 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61NLF51218 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | Volante | 9 MBIT | 7.5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | M45PE80-VMP6TG | 1.8600 | | 5 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M45PE80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-vfqfpn (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-M45PE80-VMP6TGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 3 ms | |||
 | Cy7c1325g-133axcb | 5.3900 | | 339 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1325 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.15V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 6.5 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
| S26361-F4026-E632-C | 130.0000 | | 7786 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-S26361-F4026-E632-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7c131e-55nxi | 8.1100 | | 2759 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-BQFP | CY7C131 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PQFP (10x10) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 96 | Volante | 8 kbits | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | 34AA04T-I/SN | 0.3500 | | 2 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 34AA04 | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 350 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | I²C | 5 ms | |||
 | IS65WV12816BLL-55TA3-TR | - | | 4373 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS65WV12816 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 2 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | 70121L55J | - | | 7280 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 70121L55 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volante | 18 kbits | 55 ns | Sram | 2k x 9 | Paralelo | 55ns | ||||
| MT62F768M64D4ZU-026 WT: B | 27.9300 | | 6515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4ZU-026WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | ||||||||
| IDT71V35761YSA200BQ | - | | 8023 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71V35761 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V35761YSA200BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.1 NS | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - |
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