SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página Sic programable
AT24CS02-MAHM-E Microchip Technology AT24CS02-MAHM-E -
RFQ
ECAD 8697 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-Ufdfn Padera Expunesta AT24CS02 Eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-udfn (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0051 15,000 1 MHz No Volátil 2 kbits 550 ns Eeprom 256 x 8 I²C 5 ms
S29JL064J60TFA003 Infineon Technologies S29JL064J60TFA003 8.5900
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Infineon Technologies Jl-j Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) S29JL064 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 Mbbit 60 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
EM064LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1T 44.9250
RFQ
ECAD 9870 0.00000000 Everspin Technologies Inc. Emxxlx Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn Mram (Ram Magnetoresistivo) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 819-EM064LXQADG13IS1T EAR99 8542.32.0071 290 200 MHz No Volátil 64 Mbbit RAM 8m x 8 SPI - E/S Octal -
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 T TR -
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) MT28F400B5 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
CY15B102N-ZS60XET Infineon Technologies CY15B102N-ZS60XET 21.0406
RFQ
ECAD 7687 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q100, F-RAM ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Fram (Carnero Ferroeléctrico) 2V ~ 3.6V 44-TSOP II - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 1,000 No Volátil 2 mbit 90 ns Fram 128k x 16 Paralelo 90ns
MT29F2T08ELLEEG7-QB:E Micron Technology Inc. MT29F2T08LelEeg7-QB: E 52.9800
RFQ
ECAD 3030 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08LelEEG7-QB: E 1
S25FL256SAGNFI003 Infineon Technologies S25FL256SAGNFI003 7.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies FL-S Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn S25FL256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld80ckigr 0.3676
RFQ
ECAD 1652 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-USON (1.5x1.5) descascar 1970-gd25ld80ckigrtr 3.000 50 MHz No Volátil 8mbit 12 ns Destello 1m x 8 SPI - Dual I/O 97 µs, 6 ms
FM25V10-GTR Infineon Technologies FM25V10-GTR 14.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies F-RAM ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FM25V10 Fram (Carnero Ferroeléctrico) 2V ~ 3.6V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 40 MHz No Volátil 1 mbit Fram 128k x 8 SPI -
71V416S15YG Renesas Electronics America Inc 71v416s15yg -
RFQ
ECAD 8666 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) 71v416s Sram - Asínncrono 3V ~ 3.6V 44-SOJ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 16 Volante 4mbit 15 ns Sram 256k x 16 Paralelo 15ns
S25FL256SDPMFIG01 Infineon Technologies S25FL256SDPMFIG01 4.5850
RFQ
ECAD 3165 0.00000000 Infineon Technologies FL-S Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) S25FL256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 705 66 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
S70GL02GT11FHB023 Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023 36.1375
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 Infineon Technologies GL-T Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa S70GL02 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 2 GBIT 110 ns Destello 256m x 8, 128m x 16 Paralelo -
CY7C188-25VC Cypress Semiconductor Corp CY7C188-25VC 2.7400
RFQ
ECAD 922 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) CY7C188 Sram - Asínncrono 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 3A991B2B 8542.32.0041 1 Volante 288 kbit 25 ns Sram 32k x 9 Paralelo 25ns
S29WS128PABBFW000 Infineon Technologies S29WS128PABBFW000 -
RFQ
ECAD 5470 0.00000000 Infineon Technologies WS-P Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 84-vfbga S29WS128 Flash - Ni 1.7V ~ 1.95V 84-FBGA (11.6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 200 104 MHz No Volátil 128 Mbbit 80 ns Destello 8m x 16 Paralelo 60ns
BR25H512FJ-5ACE2 Rohm Semiconductor BR25H512FJ-5ACE2 1.2400
RFQ
ECAD 4508 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOP-J descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 2.500 20 MHz No Volátil 512 kbit Eeprom 64k x 8 SPI 3.5ms
CY7C25652KV18-400BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7c25652kv18-400bzi 222.0000
RFQ
ECAD 415 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 165 lbGa CY7C25652 Sram - Síncrono, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme No Aplicable Vendedor indefinido 3A991A2 8542.32.0040 1 400 MHz Volante 72Mbit Sram 2m x 36 Paralelo - Sin verificado
CY7C1513KV18-333BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1513KV18-333BZXC 157.6000
RFQ
ECAD 141 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165 lbGa CY7C1513 Sram - Sincónnico, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar 2 333 MHz Volante 72Mbit Sram 4m x 18 Paralelo - Sin verificado
CY14B108L-BA45XIT Infineon Technologies CY14B108L-BA45XIT 51.5025
RFQ
ECAD 8818 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA CY14B108 Nvsram (sram no volátil) 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (6x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 No Volátil 8mbit 45 ns Nvsram 1m x 8 Paralelo 45ns
AS7C34098A-15TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15TINTR 4.5617
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) AS7C34098 Sram - Asínncrono 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 Volante 4mbit 15 ns Sram 256k x 16 Paralelo 15ns
CY62147GN30-45ZSXI Infineon Technologies CY62147GN30-45ZSXI 4.6200
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 Infineon Technologies MOBL® Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) CY62147 Sram - Asínncrono 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1.350 Volante 4mbit 45 ns Sram 256k x 16 Paralelo 45ns
PC28F640P30BF65B Alliance Memory, Inc. PC28F640P30BF65B 8.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F640 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 1450-PC28F640P30BF65BTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz No Volátil 64 Mbbit 65 ns Destello 4m x 16 Paralelo 65ns
DS28E01PMOD+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E01PMOD+ 4.6800
RFQ
ECAD 238 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Bolsa Obsoleto DS28E01 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 175-DS28E01PMOD+ EAR99 8473.30.1180 200
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-3: D TR -
RFQ
ECAD 7809 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 333 MHz Volante 512Mbit 450 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
647879-S21-C ProLabs 647879-S21-C 36.2500
RFQ
ECAD 5117 0.00000000 Prolabs * Paquete minorista Activo - Cumplimiento de Rohs 4932-647879-s21-c EAR99 8473.30.5100 1
MEM-DR316L-HL04-ER16-C ProLabs MEM-DR316L-HL04-ER16-C 48.5000
RFQ
ECAD 9262 0.00000000 Prolabs * Paquete minorista Activo - Cumplimiento de Rohs 4932-MEM-DR316L-HL04-ER16-C EAR99 8473.30.5100 1
NSEC53K008-AT Insignis Technology Corporation NSEC53K008-AT 18.8618
RFQ
ECAD 4589 0.00000000 Insignis Technology Corporation Nsec Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 153-vfbga Flash - Nand (MLC) 3.3V 153-FBGA (11.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 1982-NSEC53K008-AT 152 200 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 EMMC_5 -
71V3558S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S133PF 2.0100
RFQ
ECAD 163 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP 71v3558 Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 4.5Mbit 4.2 ns Sram 256k x 18 Paralelo -
S29GL512S11TFIV20 Infineon Technologies S29GL512S11TFIV20 10.8400
RFQ
ECAD 9071 0.00000000 Infineon Technologies GL-S Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) S29GL512 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 91 No Volátil 512Mbit 110 ns Destello 32m x 16 Paralelo 60ns
CY14B101LA-SP45XIT Infineon Technologies CY14B101LA-SP45XIT 29.8550
RFQ
ECAD 2557 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) CY14B101 Nvsram (sram no volátil) 2.7V ~ 3.6V 48-ssop descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0041 1,000 No Volátil 1 mbit 45 ns Nvsram 128k x 8 Paralelo 45ns
W63AH6NBVABE Winbond Electronics W63AH6NBVABE 4.7314
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 Winbond Electronics - Banda Activo -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 178-vfbga W63AH6 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 178-vfbga (11x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 256-W63AH6NBVABE EAR99 8542.32.0032 189 800 MHz Volante 1 gbit 5.5 ns Dracma 64m x 16 HSUL_12 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock