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Memoria (70500)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página	Sic programable
MT54V1MH18EF-7.5	-	RFQ	4730	Micron Technology Inc.	QDR®	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165-TBGA		Sram - Sincónnico	2.4V ~ 2.6V	165-FBGA (13x15)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volante	18mbit	3 ns	Sram	1m x 18	Hstl	-
71024S20yg	-	RFQ	3310	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71024s	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	1 mbit	20 ns	Sram	128k x 8	Paralelo	20ns
Cy7c1565kv18-450bzi	239.7500	RFQ	174	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1565	Sram - Síncrono, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						1	450 MHz	Volante	72Mbit		Sram	2m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
71V67703S80PFGI	-	RFQ	6541	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v67703	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volante	9 MBIT	8 ns	Sram	256k x 36	Paralelo	-
S25FL256LAGBHM020	8.0200	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	Automotriz, AEC-Q100, FL-L	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	S25FL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	descascar						38	133 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	32m x 8	SPI - Quad I/O, QPI	-	Sin verificado
MT57V512H36AF-7.5	17.3600	RFQ	41	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165-TBGA		Sram - Sincónnico	2.4V ~ 2.6V	165-FBGA (13x15)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volante	18mbit	3.6 ns	Sram	512k x 36	Hstl	-
Cat25010vgi	0.1400	RFQ	1869	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	CAT25010	Eeprom	1.8v ~ 5.5V	8-Soico	descascar				EAR99	8542.32.0051	1		No Volátil	1 kbit		Eeprom	128 x 8	SPI	5 ms
CY7C15632KV18-500BZXI	282.2400	RFQ	627	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C15632	Sram - Síncrono, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						136	500 MHz	Volante	72Mbit		Sram	4m x 18	Paralelo	-	Sin verificado
71256S85DB	37.2500	RFQ	135	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	A Través del Aguetero	28-CDIP (0.600 ", 15.24 mm)	71256S	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	28 CDIP	descascar				3A001A2C	8542.32.0041	1		Volante	256 kbit	85 ns	Sram	32k x 8	Paralelo	85ns
CY62157EV30LL-55ZSXE	11.3200	RFQ	185	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY62157	Sram - Asínncrono	2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Vendedor indefinido			20		Volante	8mbit	55 ns	Sram	512k x 16	Paralelo	55ns	Sin verificado
S29GL256S10TFV010	-	RFQ	2125	Extensión	GL-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	S29GL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	56-TSOP	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	256Mbit	100 ns	Destello	16m x 16	Paralelo	60ns
71V546S100PFG	6.4900	RFQ	179	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v546	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x20)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	47	100 MHz	Volante	4.5Mbit	5 ns	Sram	128k x 36	Paralelo	-	Sin verificado
Cy7c006a-20axckj	-	RFQ	2279	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	64-LQFP	CY7C006	Sram - Puerto Dual, Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	64-TQFP (14x14)	descascar				EAR99	8542.32.0041	1		Volante	128 kbit	20 ns	Sram	16k x 8	Paralelo	20ns
71016S15ygi	2.4100	RFQ	6565	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71016s	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	44-SOJ	descascar				3A991B2B	8542.32.0041	91		Volante	1 mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	15ns
CY7C1643KV18-400BZXC	319.9600	RFQ	138	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1643	Sram - Síncrono, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	descascar						1	400 MHz	Volante	144mbit		Sram	8m x 18	Paralelo	-	Sin verificado
71T75802S166PFG	-	RFQ	6752	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71T75802	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volante	18mbit	3.5 ns	Sram	1m x 18	Paralelo	-
71V016SA12BFI	4.4700	RFQ	149	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-lfbga	71v016	Sram - Asínncrono	3V ~ 3.6V	48-Cabga (7x7)	descascar				3A991B2B	8542.32.0041	1		Volante	1 mbit	12 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	12ns
AT28C256F-15JU	1.0000	RFQ	9507	Atmel	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	32 LCC (J-Lead)	AT28C256	Eeprom	4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (13.97x11.43)	descascar				EAR99	8542.32.0051	1		No Volátil	256 kbit	150 ns	Eeprom	32k x 8	Paralelo	3 ms	Sin verificado
CY14U256LA-BA35XI	12.0600	RFQ	209	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFBGA	CY14U256	Nvsram (sram no volátil)	2.7V ~ 3.6V	48-FBGA (6x10)	descascar						25		No Volátil	256 kbit	35 ns	Nvsram	32k x 8	Paralelo	35ns	Sin verificado
CY7C1268KV18-550BZXC	82.6300	RFQ	131	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1268	Sram - Síncrono, DDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						1	550 MHz	Volante	36 mbit		Sram	2m x 18	Paralelo	-	Sin verificado
71V35761S183PFGI	9.3200	RFQ	54	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v35761s	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	183 MHz	Volante	4.5Mbit	3.3 ns	Sram	128k x 36	Paralelo	-
CY7C1472BV33-200BZXC	142.3800	RFQ	145	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1472	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (15x17)	descascar						3	200 MHz	Volante	72Mbit	3 ns	Sram	4m x 18	Paralelo	-	Sin verificado
71V3556S133PFG	7.6600	RFQ	2	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71V3556	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volante	4.5Mbit	4.2 ns	Sram	128k x 36	Paralelo	-
71V3557S75BG	10.1900	RFQ	10	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	119-BGA	71V3557	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	119-PBGA (14x22)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	4.5Mbit	7.5 ns	Sram	128k x 36	Paralelo	-
Cat25080lgi	0.1700	RFQ	7583	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	A Través del Aguetero	8-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	CAT25080	Eeprom	1.8v ~ 5.5V	8 pdip	descascar				EAR99	8542.32.0051	1	20 MHz	No Volátil	8 kbits	20 ns	Eeprom	1k x 8	SPI	5 ms
7164S20DB	33.6800	RFQ	13	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	A Través del Aguetero	28-CDIP (0.600 ", 15.24 mm)	7164s	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	28 CDIP	descascar				3A001A2C	8542.32.0041	1		Volante	64 kbits	20 ns	Sram	8k x 8	Paralelo	20ns
CYD18S72V18-167BBXI	233.8900	RFQ	110	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	256 lbGa	CYD18S72	Sram - Puerto Dual, Sincónnico	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V	256-FBGA (17x17)	descascar						1	167 MHz	Volante	18mbit	4 ns	Sram	256k x 72	Paralelo	-	Sin verificado
6116la70tdb	22.3600	RFQ	114	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	A Través del Aguetero	24 CDIP (0.300 ", 7.62 mm)	6116la	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	24 CDIP	descascar				3A001A2C	8542.32.0041	1		Volante	16 kbits	70 ns	Sram	2k x 8	Paralelo	70ns
71V67903S75PFGI	16.2900	RFQ	67	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v67903	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	Volante	9 MBIT	7.5 ns	Sram	512k x 18	Paralelo	-
71V67703S80PFG	19.8800	RFQ	95	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v67703	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volante	9 MBIT	8 ns	Sram	256k x 36	Paralelo	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²