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Memoria (70500)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Sic programable	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página	Sic programable
CY7C1351G-133AXC	5.9800	RFQ	828	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	CY7C1351	Sram - Sincónnico, SDR		3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	descascar						51	133 MHz	Volante	4.5Mbit	6.5 ns	Sram	128k x 36	Paralelo	-	Sin verificado
CY62157EV30LL-45ZSXA	-	RFQ	4547	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY62157	Sram - Asínncrono		2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar						35		Volante	8mbit	45 ns	Sram	512k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
AT93C46D-TP25-T	0.4400	RFQ	8	Atmel	-	Una granela	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	93C46	Eeprom		1.8v ~ 5.5V	8-TSOP	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8542.32.0051	5,000	2 MHz	No Volátil	1 kbit		Eeprom	128 x 8, 64 x 16	Serie de 3 Hilos	5 ms
71V632S7PFGI	-	RFQ	2184	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v632	Sram - Sincónnico, SDR		3.135V ~ 3.63V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	Volante	2 mbit	7 ns	Sram	64k x 32	Paralelo	-
CY7C1021D-10ZSXI	3.0100	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY7C1021	Sram - Asínncrono		4.5V ~ 5.5V	44-TSOP II	descascar						100		Volante	1 mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	10ns	Sin verificado
Cy7c1480bv33-250bzi	193.3600	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1480	Sram - Sincónnico, SDR		3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (15x17)	descascar	ROHS3 Cumplante					6	250 MHz	Volante	72Mbit	3 ns	Sram	2m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
71V016SA20ygi	2.4900	RFQ	365	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71v016	Sram - Asínncrono		3V ~ 3.6V	44-SOJ	descascar				3A991B2B	8542.32.0041	1		Volante	1 mbit	20 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	20ns
S34ML08G101BHI000	-	RFQ	1325	Extensión	Ml-1	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	63-vfbga	S34ml08	Flash - nand		2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	8 gbit		Destello	1g x 8	Paralelo	25ns
CY7S1041G30-10BVXI	-	RFQ	6033	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	CY7S1041	Sram - Asínncrono		2.2V ~ 3.6V	48-vfbga (6x8)	descascar						50		Volante	4mbit	10 ns	Sram	256k x 16	Paralelo	10ns	Sin verificado
S34ml08g101tfi000	-	RFQ	7182	Extensión	Ml-1	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	S34ml08	Flash - nand		2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	descascar					0000.00.0000	1		No Volátil	8 gbit		Destello	1g x 8	Paralelo	25ns
CY14B108N-ZSP45XI	-	RFQ	8343	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	CY14B108	Nvsram (sram no volátil)		2.7V ~ 3.6V	54-TSOP II	descascar						8		No Volátil	8mbit	45 ns	Nvsram	512k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
S25FS064SAGNFN030	-	RFQ	2862	Cypress Semiconductor Corp	FS-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-WLGA	S25FS064	Flash - Ni		1.7v ~ 2v	8-LGA (5x6)	descascar						1	133 MHz	No Volátil	64 Mbbit		Destello	8m x 8	SPI - Quad I/O, QPI	-	Sin verificado
S26KL128SDABHA020	5.3500	RFQ	170	Extensión	Automotive, AEC-Q100, Hyperflash ™ KL	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-VBGA	S26KL128	Flash - Ni		2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	57	100 MHz	No Volátil	128 Mbbit	96 ns	Destello	16m x 8	Paralelo	-	Sin verificado
S29GL256P90TFCR23	-	RFQ	5643	Extensión	GL-P	Una granela	Activo	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	S29GL256	Flash - Ni		3V ~ 3.6V	56-TSOP	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	256Mbit	90 ns	Destello	32m x 8	Paralelo	90ns
S34ML04G100BHI000	-	RFQ	8882	Extensión	Ml-1	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	63-vfbga	S34ml04	Flash - nand		2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	descascar					0000.00.0000	1		No Volátil	4 gbit		Destello	512m x 8	Paralelo	25ns
FM24C16B-G	-	RFQ	6390	Cypress Semiconductor Corp	F-RAM ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	FM24C16	Fram (Carnero Ferroeléctrico)		4.5V ~ 5.5V	8-Soico	descascar						1	1 MHz	No Volátil	16 kbits	550 ns	Fram	2k x 8	I²C	-	Sin verificado
71V016SA12BFG8	5.0600	RFQ	4	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-lfbga	71v016	Sram - Asínncrono		3V ~ 3.6V	48-Cabga (7x7)	descascar				3A991B2B	8542.32.0041	1		Volante	1 mbit	12 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	12ns
CY7C1049G30-10ZSXI	6.8200	RFQ	45	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY7C1049	Sram - Asínncrono		2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar						45		Volante	4mbit	10 ns	Sram	512k x 8	Paralelo	10ns	Sin verificado
Cy62126ev30ll-55bvxe	4.4800	RFQ	142	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	CY62126	Sram - Asínncrono		2.2V ~ 3.6V	48-vfbga (6x8)	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Vendedor indefinido	3A991A2	8542.32.0040	38		Volante	1 mbit	55 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	55ns	Sin verificado
71V3559S85BGI	10.8200	RFQ	6574	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	119-BGA	71v3559	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)		3.135V ~ 3.465V	119-PBGA (14x22)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	4.5Mbit	8.5 ns	Sram	256k x 18	Paralelo	-
71v424l10phgi	8.5800	RFQ	8485	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	71v424	Sram - Asínncrono		3V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	4mbit	10 ns	Sram	512k x 8	Paralelo	10ns
AT27C020-55JU	-	RFQ	1686	Atmel	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	32 LCC (J-Lead)	AT27C020	EPROM - OTP		4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (13.97x11.43)	descascar				EAR99	8542.32.0061	1		No Volátil	2 mbit	55 ns	EPROM	256k x 8	Paralelo	-
CY7C4122KV13-933FCXC	258.9500	RFQ	50	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	361-BBGA, FCBGA	CY7C4122	Sram - Sincónnico, QDR IV	Sin verificado	1.26V ~ 1.34V	361-FCBGA (21x21)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	3A991B2A	8542.32.0041	60	933 MHz	Volante	144mbit		Sram	8m x 18	Paralelo	-
FM25V20A-DG	-	RFQ	5167	Cypress Semiconductor Corp	F-RAM ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8 wdfn	FM25V20	Fram (Carnero Ferroeléctrico)		2V ~ 3.6V	8-DFN (5x6)	descascar						1	40 MHz	No Volátil	2 mbit		Fram	256k x 8	SPI	-	Sin verificado
71V3557S75PFG	8.6800	RFQ	102	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71V3557	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)		3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	4.5Mbit	7.5 ns	Sram	128k x 36	Paralelo	-
Cy7c0851av-133bbc	161.3200	RFQ	306	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	172 lbga	CY7C0851	Sram - Puerto Dual, Sincónnico		3.135V ~ 3.465V	172-FBGA (15x15)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volante	2 mbit		Sram	64k x 36	Paralelo	-
CY62147GE18-55BVXI	5.5600	RFQ	75	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	CY62147	Sram - Asínncrono		1.65V ~ 2.2V	48-vfbga (6x8)	descascar						54		Volante	4mbit	55 ns	Sram	256k x 16	Paralelo	55ns	Sin verificado
CY7C1150KV18-400BZXI	37.1400	RFQ	235	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1150	Sram - Síncrono, DDR II+		1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						9	400 MHz	Volante	18mbit		Sram	512k x 36	Paralelo	-	Sin verificado
CY62137FV30LL-45BVXI	2.6300	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	CY62137	Sram - Asínncrono		2.2V ~ 3.6V	48-vfbga (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante					300		Volante	2 mbit	45 ns	Sram	128k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
CAT24C128LGI	0.3400	RFQ	1702	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	A Través del Aguetero	8-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	CAT24C128	Eeprom		1.8v ~ 5.5V	8 pdip	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8542.32.0071	1	1 MHz	No Volátil	128 kbit	400 ns	Eeprom	16k x 8	I²C	5 ms

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²