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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1041V33-20VCT | 10.9400 |  | 489 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1041 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 4mbit | 20 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
 | 6116la25db | - | | 9392 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 24 CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | 6116la | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 24 CDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 15 | Volante | 16 kbits | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | Cy7C1061G30-10BVJXI | 23.8000 | | 3914 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY7C1061 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-cy7c1061g30-10bvjxi | 480 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 10ns | Sin verificado | ||||||
 | AT24MAC602-STUM-T | 0.4400 | | 31 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | AT24MAC602 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | Sot-23-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 2 kbits | 550 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | AS7C1026C-15JIN | - | | 4088 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS7C1026 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | S99Al016J70TFI013 | - | | 3318 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 71T75602S150PFG8 | 33.2497 | | 5806 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71T75602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150 MHz | Volante | 18mbit | 3.8 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | IS43LR16200C-6BL-TR | - | | 4617 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS43LR16200 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | Volante | 32Mbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | CY7C1399BL-15ZCT | 0.8300 | | 12 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | CY7C1399 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 28-tsop I | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 256 kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| 40060108-001 | - | | 2198 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 91 | |||||||||||||||||||||
 | S29AL016J70TFI020 | 3.0500 | | 9255 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Al-J | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29al016 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-S29AL016J70TFI020 | 96 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | Verificado | ||||||
| MT52L256M64D2PD-107 WT ES: B TR | - | | 5348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 216-FBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||||
| LE24LA322CSTL2-TFM-E | - | | 4345 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | LE24L | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 5,000 | 400 kHz | No Volátil | 32 kbits | Eeprom | 4k x 8 | I²C | - | ||||
 | 70V07L35PFGI8 | 65.2135 | | 6592 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-LQFP | 70V07 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 80-tqfp | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 256 kbit | 35 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | W25Q80BVZPSG | - | | 2991 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q80 | Flash - Ni | 2.5V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q80BVZPSG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | ||||
 | 25CSM04T-I/SN | 4.2000 | | 3363 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | 25cs | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 25CSM04 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 8 MHz | No Volátil | 4mbit | Eeprom | 512k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
| M29F400FT5AM62 | - | | 7474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | M29F400 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 240 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 55ns | |||||
| 40060287 | - | | 4218 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| Cg10081Aft | 3.5785 | | 1232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1,000 | ||||||||||||||||||||||
 | AS4C256M16D3LC-12BCNTR | 11.3300 | | 2 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| MT47H512M8WTR-25E: C TR | - | | 8640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | MT47H512M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (9x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | 400 ps | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| S29gl032n11ffis10 | - | | 5756 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S29GL032N11FFIS10 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT29F2G08ABDHC-ET: D TR | - | | 1139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | 71T75802S200BG8 | 43.6204 | | 3343 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71T75802 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3.2 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
 | 6116SA20SOI | 2.9400 | | 326 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | 6116SA | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 24-soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 16 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | MB85RC128PNF-G-JNE1 | - | | 2871 | 0.00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MB85RC128 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 400 kHz | No Volátil | 128 kbit | 900 ns | Fram | 16k x 8 | I²C | - | |||
 | S25FL512SDPBHVC13 | 6.5625 | | 3460 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| MT53E128M32D2FW-046 AAT: A TR | 8.7450 | | 3095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: ATR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | CY27C010-70JC | - | | 4157 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | CY27C010 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 1 mbit | 70 ns | EPROM | 128k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | SM662GEF BFST | 178.9800 | | 5 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 100 lbGa | Flash - nand (slc), flash - nand (tlc) | - | 100-BGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1984-SM662GEFBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | - | Destello | EMMC | - |
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