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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MX77U51250FZ4I42 | 6.8475 |  | 2203 | 0.00000000 | Macronix | - | Banda | Activo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX77U51250FZ4I42 | 480 | |||||||||||||||||||||
 | Cyd36S72V18-200BGXC | - | | 9369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 484-FBGA | CYD36S72 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 484-PBGA (27x27) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 200 MHz | Volante | 36 mbit | 3.3 ns | Sram | 512k x 72 | Paralelo | - | |||
| W631GU6NB09J | - | | 6371 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W631GU6 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W631GU6NB09J | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 1.066 GHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| 7102797-C | 47.5000 | | 9519 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-7102797-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W97BH2MBVA2I TR | 5.6100 | | 9782 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | W97BH2 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W97BH2MBVA2ITR | EAR99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||
| S26KS256SDABHB030 | 9.0200 | | 338 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S26KS256SDABHB030 | 34 | ||||||||||||||||||||||
 | SM671PXF-BFSS | 166.7500 | | 6719 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-ufs ™ | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-TBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-BGA (11.5x13) | descascar | 1984-SM671PXF-BFSS | 1 | No Volátil | 4tbit | Destello | 512g x 8 | EMMC | - | ||||||||||
 | W25Q512JVEIQ TR | 4.8300 | | 3450 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | W25q512jveiqtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
 | 11aa040t-i/sn | 0.3300 | | 4910 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 11AA040 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 100 kHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | Alambre Único | 5 ms | ||||
 | CAT28LV64GI20 | - | | 4266 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | CAT28LV64 | Eeprom | 3V ~ 3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | No Volátil | 64 kbits | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 5 ms | |||||
| S29GL256P11FAI010 | 11.0000 | | 122 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2832-S29GL256P11FAI010 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 46 | No Volátil | 256Mbit | 110 ns | Destello | 16m x 16 | CFI | 110ns | |||
 | MT29F256G08CEECBH6-12: C | - | | 2787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.5V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
| S25FL064LABNFB013 | - | | 8672 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S25FL064LABNFB013 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 6116SA150DB | - | | 9607 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 24 CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | 6116SA | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 24 CDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 15 | Volante | 16 kbits | 150 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 150ns | ||||
 | 71V65603S150BG | 26.1188 | | 4915 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71v65603 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 150 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.8 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
| S99GL064N90FFI030 | - | | 9680 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
 | S25FS512SAGMFV010 | 10.3000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FS512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 240 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | AS6C1616-55BINTR | - | | 5538 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | AS6C1616 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | 70V3379S4BCG | 108.4075 | | 3676 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70V3379 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 576 kbit | 4.2 ns | Sram | 32k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | STK11C68-SF35 | - | | 4659 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-SOICO (0.342 ", 8.69 mm de ancho) | Stk11c68 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 50 | No Volátil | 64 kbits | 35 ns | Nvsram | 8k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | CY7C1514KV18-300BZC | - | | 2232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1514 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||||
| P19043-B21-C | 230.0000 | | 2740 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-P19043-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S29GL064S70TFI030 | - | | 6901 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S29GL064S70TFI030 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Gd5f1gq5ueyjgr | 2.9324 | | 5226 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f1gq5ueyjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 7 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | ||||||||
| 815100-B21-C | 130.0000 | | 2180 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-815100-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY62256VLL-70SNC | 1.6500 | | 13 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | CY62256 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 182 | Volante | 256 kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 70ns | Sin verificado | |||||
 | IS46R16160D-6TLA1-TR | 5.6024 | | 8574 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | AT25DN256-SSHF-B | 0.2601 | | 6874 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25DN256 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | No Volátil | 256 kbit | Destello | 32k x 8 | SPI | 8 µs, 1.75 ms | ||||
 | CY7C1011CV33-10ZI | 8.8100 | | 69 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Cy7C1011 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
| W29N02KVDIAF TR | 4.0468 | | 3105 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | W29N02 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-vfbga (8x6.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W29N02KVDIAFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 25ns |
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