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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71256S35DB | 37.2500 |  | 37 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | 71256S | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28 CDIP | descascar | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 256 kbit | 35 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 35ns | |||||||
 | MT53E768M64D4HJ-046 AAT: A | - | | 4983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: A | Obsoleto | 1 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | 18ns | ||||||
| CAT25C128XI-T2 | 0.1400 | | 2408 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-cat25c128xi-t2 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | IS25LP128F-JBLA3 | 3.1700 | | 9 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | IS25LP128 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP128F-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
 | AT25XE321D-SSHN-T | 1.0800 | | 7513 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25XE321 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 12 ms | ||||
 | IS46TR85120Al-125KBLA1 | - | | 3420 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46TR85120Al-125KBLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | W631GG6KB11i | - | | 1575 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
 | AT28C010-20LM/883 | 255.8700 | | 6793 | 0.00000000 | Atmel | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 44-CLCC | AT28C010 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 44-CLCC (16.55x16.55) | descascar | Rohs no conforme | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 29 | No Volátil | 1 mbit | 200 ns | Eeprom | 128k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||||
| AT25SF321-SSHD-T | - | | 5435 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25SF321 | Flash - Ni | 2.5V ~ 3.6V | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 5 µs, 5 ms | ||||
| MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E | - | | 8457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||||
 | S29GL064S90BHI030 | - | | 7252 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | No Volátil | 64 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | CY62256-70SNI | - | | 9457 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | CY62256 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 256 kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | S29GL064S90TFI010 | - | | 5624 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | No Volátil | 64 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | AS7C31026B-12TIN | 3.1724 | | 8675 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | AS7C31026 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS7C31026B-12TIN | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | AS4C2M32SA-7TCN | 3.1724 | | 9977 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS4C2M32 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1285 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | 2ns | ||
| IS49RL18640-107EBL | 109.1224 | | 1959 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL18640-107EBL | 119 | 933 MHz | Volante | 1.152gbit | 8 ns | Dracma | 64m x 18 | Paralelo | - | |||||
 | CY62137FV30LL-45ZSXAT | 8.3900 | | 2090 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62137 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 2 mbit | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
 | 7130LA35J | - | | 7750 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 7130LA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volante | 8 kbits | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | 25LC010A-H/SN | 0.6900 | | 6969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 25LC010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2A | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | IDT71V3556S166BGI | - | | 3812 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V3556 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3556S166BGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT53B256M32D1DS-062 XT: C | - | | 1196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||||
 | CY62146G30-45BVXI | - | | 9436 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY62146 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | 50 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | Sin verificado | ||||||||
| 70V26L12J8 | - | | 7262 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-70V26L12J8TR | 1 | Volante | 256 kbit | 12 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | 12ns | |||||||||
 | AT45DB041B-TU | - | | 4253 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | AT45DB041 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 28-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 234 | 20 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 264 bytes x 2048 Páginas | SPI | 14 ms | ||||
 | IS42S32800D-6TL-TR | - | | 4557 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | - | |||
| 9242500072000 | - | | 8983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT58L64L36PT-5 | 5.7500 | | 197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L64L36 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volante | 2 mbit | 3.5 ns | Sram | 64k x 36 | Paralelo | - | |||
 | MT47H32M16NF-25E AUT: H TR | - | | 6979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| S99ML02G10041 | - | | 4097 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Descontinuado en sic | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MEM-DR316L-SL02-ER10-C | 51.2500 | | 7444 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM-DR316L-SL02-ER10-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
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