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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SM662GEC BFST | 26.3900 |  | 4 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 100 lbGa | SM662 | Flash - nand (slc), flash - nand (tlc) | - | 100-BGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
 | M50FLW080AK5G | - | | 6957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | M50FLW080 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | 33 MHz | No Volátil | 8mbit | 250 ns | Destello | 1m x 8 | Paralelo | - | ||
 | S25FL127SABMFB103 | 4.4625 | | 4509 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | S25FL127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | AT28C010E-15PU | - | | 5271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | AT28C010 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 12 | No Volátil | 1 mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | Paralelo | 10 ms | |||
 | S29GL512S12DHIV10 | 9.7100 | | 520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL512 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 512Mbit | 120 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| IS46LQ32640Al-062BLA1 | - | | 1406 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32640Al-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | |||||
 | W631GG6NB-11 TR | 2.9730 | | 7385 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W631GG6NB-11TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |
| V29al008d55tair10 | - | | 8413 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | 70V9269L9PRFG8 | - | | 4313 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 70v9269 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 128-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 256 kbit | 9 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | - | |||
 | 70V7319S166BC8 | 188.0754 | | 4185 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70V7319 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.6 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||
 | 71T75602S166BGG | 43.6204 | | 7742 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71T75602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 119-PBGA (14x22) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Volante | 18mbit | 3.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: C | 5.6600 | | 16 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.782 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | BQ2026LPR | 0.4905 | | 4218 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BQ2026 | EPROM - OTP | 2.65V ~ 5.5V | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0061 | 2,000 | No Volátil | 1,5 kbit | EPROM | 32 bytes x 6 Páginas | Alambre Único | - | ||||
 | 7130SA55J | - | | 8895 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 7130SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volante | 8 kbits | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 55ns | |||
| P03053-CA1-C | 745.0000 | | 2945 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-P03053-CA1-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT47H32M16HR-25E: G | - | | 6255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| 7037S12PFI | - | | 1798 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | - | 800-7037S12PFI | 1 | |||||||||||||||||||||
| NLQ83PFS-8NET | 17.8885 | | 5861 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-FBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-nlq83pfs-8net | 136 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Lvstl | 18ns | |||||
 | CY7C1420JV18-300BZXC | - | | 7557 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1420 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
 | S29GL256P10TFI023 | 9.1700 | | 9149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 8 | Paralelo | 100ns | |||
 | IS64LV25616Al-12TLA3-TR | 9.0000 | | 8168 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS64LV25616 | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 12ns | |||
| MT53E4G32D8GS-046 WT ES: C TR | 127.0200 | | 5172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WTES: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | CY15B108QSN-108BKXI | 48.7900 | | 100 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon ™ -Ultra, F -Ram ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | CY15B108 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 1.8v ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 108 MHz | No Volátil | 8mbit | 6.7 ns | Fram | 1m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||
| DS28E02P+ | - | | 4026 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | Eeprom | 1.75V ~ 3.65V | 6-TSOC | - | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | No Volátil | 1 kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1 Alambre® | 25 ms | |||||||
| C-2133D4SR8RLP/4G | 122.5000 | | 8363 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2133D4SR8RLP/4G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS45S16400J-6BLA1-TR | 3.8792 | | 1787 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | - | ||
| IS43R16320F-5TL-TR | 2.9588 | | 3462 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43R16320F-5TL-TR | 1.500 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
 | S25FL512SDPBHBC13 | 10.5875 | | 7032 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | IDT71V67602S150PF | - | | 5687 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V67602 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67602S150PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.8 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |
 | IS46DR81280C-25DBLA1 | - | | 5282 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns |
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