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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 24lc04bt-e/sn16kvao | - |  | 8344 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24lc04b | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | MT47H32M16NF-187E: H TR | - | | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 533 MHz | Volante | 512Mbit | 350 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | AT49BV162AT-70CI | - | | 8823 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-TFBGA, CSPBGA | AT49BV162 | Destello | 2.65V ~ 3.6V | 48-CBGA (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 364 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 200 µs | ||||
| GD55LE511Mewigy | 4.1663 | | 2768 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | - | 1970-gd55le511mewigy | 5.700 | ||||||||||||||||||||||
 | SM671PAE-BFSS | 88.9000 | | 3884 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-ufs ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 153-TBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-BGA (11.5x13) | descascar | 1984-SM671PAE-BFSS | 1 | No Volátil | 640 GBIT | Destello | 80g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||||
 | CY62128DV30LL-70SXI | 4.4800 | | 601 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) | CY62128 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0041 | 67 | Volante | 1 mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 70ns | Sin verificado | |||||
| 70T3339S133BFGI | 306.3948 | | 1529 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-LFBGA | 70T3339 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 208-Cabga (15x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
| CY7C1018DV33-10VXI | 2.1100 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | CY7C1018 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 10ns | Sin verificado | |||||||
| MT40A512M16LY-062E AT: E | - | | 9421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | - | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | 557-MT40A512M16LY-062ET: E | Obsoleto | 8542.32.0071 | 180 | 1.6 GHz | No Volátil | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | - | - | ||||||
| MTFC4GACAECN-1M WT | - | | 6257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | |||||||||
| IS34MW02G084-BLI-TR | 4.3621 | | 4179 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS34MW02G084-BLI-TR | 2.500 | No Volátil | 2 GBIT | 30 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 45ns | |||||||
 | W25x20bvsnig | - | | 1740 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | W25x20 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 3 ms | ||||
 | IDT71V416VL15PHG8 | - | | 9084 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IDT71V416 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V416VL15PHG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | Cy7C1041D-10VXIT | - | | 9016 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1041 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
 | IS42S32200C1-6T-TR | - | | 1902 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S32200 | Sdram | 3.15V ~ 3.45V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | |||
 | AT27BV020-15TI | - | | 9649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT27BV020 | EPROM - OTP | 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT27BV02015TI | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | No Volátil | 2 mbit | 150 ns | EPROM | 256k x 8 | Paralelo | - | |||
 | FT24C02A-USR-B | - | | 2649 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ft24c02 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 2 kbits | 550 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | IS43TR82560B-15HBLI-TR | - | | 8295 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| NDS38PT5-16IT TR | 2.7110 | | 1907 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NDS38PT5-16ITTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
| 397415-S21-C | 37.5000 | | 3175 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-397415-s21-c | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY62147GE18-55ZSXI | 6.7375 | | 3309 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62147 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.350 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | 71V67803S166PFG | 17.3400 | | 38 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v67803 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||||||
| S25HL01GTFABHI033 | 15.4000 | | 8259 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (8x8) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
 | AS7C3513B-15JCNTR | 4.0025 | | 8792 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS7C3513 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 512 kbit | 15 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | IS61LPD51236A-200TQLI-TR | 19.1250 | | 5183 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61LPD51236 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3.1 NS | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
| MT53E1DBDS-DC TR | 22.5000 | | 9059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT53E1 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
 | Fm24c17um8 | 0.3700 | | 9243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Fm24c17 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 16 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 10 ms | |||
 | Mx30uf2g18ac-xki | 5.4100 | | 261 | 0.00000000 | Macronix | Mx30uf | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Mx30uf2 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1092-1168 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 220 | No Volátil | 2 GBIT | 25 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 25ns | |||
 | CAT25040S-TE13 | - | | 1985 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT25040 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2,000 | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 5 ms | |||||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3T: A | - | | 7053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - |
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