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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W25q64fvsfig tr | - |  | 4138 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | ||||
 | R1LP0108ESN-5SR#B0 | - | | 5042 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.450 ", 11.40 mm de ancho) | R1LP0108 | Sram | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | AM27S21A/B2A | 18.0600 | | 584 | 0.00000000 | Microdispositivos Avanzados | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 20-Clcc | AM27S21A | - | 4.5V ~ 5.5V | 20-Clcc | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 1 kbit | 40 ns | Paseo | 256 x 4 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F128G08CFAAAWP-IT: A | - | | 4883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | SST39VF802C-70-4C-B3KE | 1.8400 | | 13 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST39 MPF ™ | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | SST39VF802 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | SST39VF802C704CB3KE | EAR99 | 8542.33.0001 | 480 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 512k x 16 | Paralelo | 10 µs | |||
 | W631GG8NB15J | - | | 7490 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-vfbga | W631GG8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-vfbga (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W631GG8NB15J | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
 | SM662PEB-BDST | - | | 1350 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Banda | Obsoleto | SM662 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 7005L20pfi | - | | 4560 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 7005L20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volante | 64 kbits | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
| NDS76PBA-16AT TR | 2.6055 | | 8897 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NDS76PBA-16ATTR | 2.500 | ||||||||||||||||||||
 | Cy7c1371kve33-100axi | 28.9000 | | 57 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1371 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-cy7c1371kve33-100axi | 11 | 100 MHz | Volante | 18mbit | 8.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | 70V658S10BCG | 188.0754 | | 7358 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70v658 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 64k x 36 | Paralelo | 10ns | ||||
 | JS28F640J3F75D TR | - | | 2039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F640J3 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 64 Mbbit | 75 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 75ns | |||||
 | AT28C256F-15SU-T | 12.4950 | | 4526 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28C256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 1,000 | No Volátil | 256 kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 3 ms | ||||
| MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 312.5850 | | 3687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 7130LA55TFI8 | - | | 1396 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 7130LA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (10x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 8 kbits | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 55ns | |||||
 | Cy7c2562xv18-366bzxc | 215.1200 | | 94 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C2562 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 1 | 366 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||||
 | MT46H16M16LFBF-6 EN: H TR | - | | 8208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H16M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | W25N01GWZEIG TR | 2.8012 | | 7608 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25N01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N01GWZEIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 8 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | ||
 | 6116SA20TPGI | - | | 3101 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 24-dip (0.300 ", 7.62 mm) | 6116SA | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 24 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Volante | 16 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | RC28F128P33B85A | - | | 5268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC28F128 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | |||
 | IS45S16400J-6BLA1 | 4.2265 | | 7164 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | - | |||
 | S25FL128LAGMFB013 | 5.8700 | | 4472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL-L | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | S25FL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | IDT71V124SA12YI | - | | 3705 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IDT71V124 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V124SA12YI | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | |||
| Mt29f64g08cbaaal74a3wc1p-v | - | | 4476 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||||||
 | S29AS016J70BFI030 | 2.7600 | | 4850 | 0.00000000 | Infineon Technologies | As-j | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29AS016 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 338 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | CY7C1021V33-15BAI | 5.1400 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (7x7) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
| SST39VF800A-70-4I-B3KE | 1.9700 | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST39 MPF ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | SST39VF800 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | SST39VF800A704IB3KE | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 512k x 16 | Paralelo | 20 µs | |||
 | Mt47h64m16hr-25e it: h tr | - | | 5626 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | CY7C1340A-66AI | 7.0600 | | 522 | 0.00000000 | Galvantech | Cy7c1340a | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 100-tqfp | CY7C1340 | Sram | 3.3V | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volante | 4mbit | 7 ns | Sram | 128k x 32 | - | ||||||
 | W25Q32FVTCIG TR | - | | 2194 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms |
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