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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S26361-F3934-L515-C | 120.0000 |  | 5865 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-S26361-F3934-L515-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| Cy62128bnll-55sxit | 6.7400 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) | CY62128 | Sram - Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOICO | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-cy62128bnll-55sxittr | 3A991A2 | 8542.32.0040 | 75 | Volante | 1 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 55ns | |||
 | ASA5520-MEM-2GB-C | 55.0000 | | 5707 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-ASA5520-MEM-2GB-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT29F1G16ABBEAHC-IT: E TR | - | | 6751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | D2516ACXGXGRK-U | 2.4700 | | 22 | 0.00000000 | Kingston | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | SDRAM - DDR4 | 1.2V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3217-D2516ACXGXGRK-U | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | Volante | Dracma | Paralelo | |||||||||||
 | SST26VF016BT-104I/SM | 1.9600 | | 3925 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST26 SQI® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | SST26VF016 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soij | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,100 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.5ms | ||||
| MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 | - | | 4759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | Mt29vzzz7 | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||||
| CG8852AAT | - | | 6544 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 2.500 | |||||||||||||||||||
 | IDT71V3579S80PF | - | | 5553 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V3579 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3579S80PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Volante | 4.5Mbit | 8 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
| S29JL064J70TFA003 | 6.1622 | | 3553 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Jl-j | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1,000 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | CFI | ||||||||||
 | CY62147EV30LL-45BVXA | 7.3500 | | 752 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY62147 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | 41 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | Sin verificado | ||||||||
 | W25N01JWTBIG | 3.6750 | | 8163 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25N01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N01JWTBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 700 µs | ||
 | 25lc512t-e/sn | 2.7000 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 25LC512 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 20 MHz | No Volátil | 512 kbit | Eeprom | 64k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | MT53E1G32D4NQ-046 WT: E TR | - | | 6086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||||||||
| IDT71V65603S133PFI | - | | 4628 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V65603 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V65603S133PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
| S29GL032N11TFIV10 | 2.8200 | | 4857 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Automotriz, AEC-Q100, GL-N | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | - | 2156-S29GL032N11TFIV10 | 72 | No Volátil | 32Mbit | 110 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | CFI | 110ns | |||||||||
 | Cy7C1472BV33-200BZC | 138.6700 | | 42 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1472 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volante | 72Mbit | 3 ns | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
| Cat93c46byi-G | - | | 4325 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | 488-cat93c46byi-G | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||
 | CT16G3ERSLD4160B.36FED-C | 48.5000 | | 7944 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-CT16G3ERSLD4160B.36FED-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71V65703S80PFGI8 | 26.9705 | | 3159 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71V65703 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 9 MBIT | 8 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | AT24HC02C-PUM | 0.5100 | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT24HC02 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT24HC02CPUM | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | No Volátil | 2 kbits | 550 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | Upd43256bgu-70y | 0.7800 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | SM662GEC BFST | 26.3900 | | 4 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 100 lbGa | SM662 | Flash - nand (slc), flash - nand (tlc) | - | 100-BGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC | - | ||||||
| M50FLW080AK5G | - | | 6957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | M50FLW080 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | 33 MHz | No Volátil | 8mbit | 250 ns | Destello | 1m x 8 | Paralelo | - | |||
 | S25FL127SABMFB103 | 4.4625 | | 4509 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | S25FL127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
 | AT28C010E-15PU | - | | 5271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | AT28C010 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 12 | No Volátil | 1 mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||
 | S29GL512S12DHIV10 | 9.7100 | | 520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL512 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 512Mbit | 120 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
| IS46LQ32640Al-062BLA1 | - | | 1406 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32640Al-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | ||||||
 | W631GG6NB-11 TR | 2.9730 | | 7385 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W631GG6NB-11TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
| V29al008d55tair10 | - | | 8413 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 |
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