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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT25SL321-SHE-T | 0.8600 |  | 5 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT25SL321 | Destello | 1.7v ~ 2v | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 150 µs, 5 ms | |||
 | MX77L25650FZ4I42A | 3.3592 | | 1791 | 0.00000000 | Macronix | - | Banda | Activo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX77L25650FZ4I42A | 480 | ||||||||||||||||||||
| C-667D2DFB5/16GKIT | 125.0000 | | 1933 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-667D2DFB5/16GKIT | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY7C168A-15pc | 2.4300 | | 608 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) | CY7C168 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 20 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 16 kbits | 15 ns | Sram | 4k x 4 | Paralelo | 15ns | |||
 | CAT24AA08TDI-GT3 | 0.3800 | | 3429 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | Cat24 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | TSOT-23-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 8 kbits | 400 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | MEM2691-128CF-C | 10.0000 | | 23 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM2691-128CF-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | Mt29f64g08cbaaawp-itz: un tr | - | | 7988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | IDT71V124SA12TYI8 | - | | 5208 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | IDT71V124 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V124SA12Tyi8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||
| CG8102AAT | - | | 4045 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | |||||||||||||||||
 | MT53E2G32D4DT-046 AAT: A | 63.1350 | | 6496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E2G32D4DT-046AAT: A | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||
 | MT40A1G8SA-075: E | 7.9500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.33 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | - | |||
 | CY7C25652KV18-450BZI | 313.7050 | | 5883 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C25652 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
 | 25lc640at-e/st | 0.9200 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 25lc640 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 10 MHz | No Volátil | 64 kbits | Eeprom | 8k x 8 | SPI | 5 ms | |||
 | S70GL02GS12FHVV23 | 26.4600 | | 1514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S70GL02 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 2 GBIT | 120 ns | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | |||
| GD25LR256Efirr | 2.8974 | | 4907 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LR256Efirrtrtrtr | 1,000 | 104 MHz | No Volátil | 256Mbit | 9 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 1.2 ms | |||||||
 | 71v416s12yg | - | | 3067 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | 71v416s | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | CY7C1618KV18-333BZXC | 358.8200 | | 7936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1618 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 525 | 333 MHz | Volante | 144mbit | Sram | 8m x 18 | Paralelo | - | |||
 | AT24C04D-CUM-T | - | | 7504 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-vfbga | AT24C04 | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | 8-vfbga (1.5x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 450 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | W25M02GVTBIG TR | - | | 1751 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25M02 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI | 700 µs | |||
 | SNPCC9FNC/32G-C | 212.5000 | | 2255 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-SNPCC9FNC/32G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | Int1600sb16l-c | 230.0000 | | 8844 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-INT1600SB16L-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| HX-ML-X32G2RS-HC | 387.5000 | | 6377 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-HX-ML-X32G2RS-HC | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | M93S56-WMN6TP | 0.6600 | | 26 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M93S56 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 2 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 128 x 16 | SPI | 5 ms | |||
 | Cy62138fv30ll-45zaxit | 7.7500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 mm de Ancho) | CY62138 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 32 Stsop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 2 mbit | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
 | AS4C64M8D3L-12BINTR | 4.2627 | | 8700 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TA) | Montaje en superficie | 78-vfbga | AS4C64 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 800 MHz | Volante | 512Mbit | 20 ns | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | |||
 | IS43R32400E-5BL-TR | 4.2471 | | 5571 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-lfbga | IS43R32400 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 144-LFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | IS43DR16320E-25DBLI | 4.8898 | | 5009 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1556 | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | IS62WV25616DALL -55TI -TR | - | | 9934 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS62WV25616 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | AT24C08D-UUM0B-T | 0.1900 | | 1 | 0.00000000 | Atmel | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | AT24C08 | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | 4-WLCSP | descascar | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | No Volátil | 8 kbits | 4.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 5 ms | |||||
| MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 | - | | 2353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | - | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | Volante | 2 GBIT | Dracma | 64m x 32 | Paralelo |
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