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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29C1G12Maaiyamd-5 | - |  | 7994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
 | LE25S81AMDS06TWG | - | | 1216 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 488-le25s81amds06twg | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||
| SM671PBB-ADST | - | | 6912 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-ufs ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-TFBGA | SM671 | Flash - Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1984-SM671PBB-ADST | Obsoleto | 1 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||||
 | MT47H64M16HR-3 AAT: H TR | - | | 8765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | S29GL512T11DHB023 | 13.1600 | | 6171 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-T | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.200 | No Volátil | 512Mbit | 110 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 60ns | |||
 | PA3513U-1M2G-C | 17.5000 | | 3101 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-PA3513U-1M2G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| CG8273AA | - | | 6791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | AS5F38G04SND-08LIN | 13.3800 | | 166 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WLGA | AS5F38 | Flash - Nand (SLC) | 3V ~ 3.6V | 8-LGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS5F38G04SND-08LIN | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 352 | 120 MHz | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | ||
 | W25q64cvzesg | - | | 7195 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q64CVZESG | Obsoleto | 1 | 80 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| IS22TF64G-JCLA1 | 50.6532 | | 7392 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF64G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| 70V28S15PF | - | | 9452 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | - | 800-70V28S15PF | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F32G08AFACAWP-Z: C TR | - | | 2684 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT61M512M32KPA-14 N: C | 42.1050 | | 8256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT61M512M32KPA-14N: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | W25Q16CVSSJG TR | - | | 3288 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | W25Q16CVSSJGTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | ||
 | S25FL127SabbHic03 | - | | 6680 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| IS43TR81024B-125KBL | 20.8861 | | 2010 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR81024B-125KBL | 136 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | |||||
 | 70V9199L9PFGI | - | | 2398 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70v9199 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 1.125Mbit | 9 ns | Sram | 128k x 9 | Paralelo | - | |||
| EMF8132A3PF-DV-FD | - | | 9861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | EMF8132 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.680 | |||||||||||||||||
| 7009L20PFG8 | - | | 4510 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7009L20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 1 mbit | 20 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 20ns | |||
| 70261l20pfg | - | | 3317 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70261L20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70261L20PFG | Obsoleto | 1 | Volante | 256 kbit | 20 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||||
 | 34LC02T-E/OT | 0.3600 | | 2880 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | 34LC02 | Eeprom | 2.2V ~ 5.5V | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 2 kbits | 400 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | 71V67603S133PFG | - | | 4148 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v67603 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||||
 | MT61K256M32JE-14: A | - | | 2113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61K256 | SGRAM - GDDR6 | 1.31V ~ 1.39V | 180-FBGA (12x14) | descascar | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||||
 | W74m25jvsfiq tr | 3.4754 | | 8941 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | W74M25 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W74M25JVSFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 80 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |
 | 71V321S25PF | - | | 5777 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 71v321s | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volante | 16 kbits | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 25ns | |||
 | 71342LA20JG8 | 27.6552 | | 3102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 71342la | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 400 | Volante | 32 kbits | 20 ns | Sram | 4k x 8 | Paralelo | 20ns | |||
| 71342SA45J | - | | 5957 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 71342SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volante | 32 kbits | 45 ns | Sram | 4k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
 | BR24T02FVT-WGE2 | 0.3100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | BR24T02 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | 8-TSOP-B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | SFEM064GB2ED1TB-A-CE-11111-STD | 27.1500 | | 10 | 0.00000000 | Suiza | EM-30 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-BGA (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1 | 200 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC | - | |||||||
 | CY7C1041CV33-10ZSXA | - | | 4857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1041 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns |
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