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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | TUPO Programable | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S29PL127J60TFI130 | - |  | 5058 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S29PL127J60TFI130 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | CY14B104N-BA25XI | - | | 6787 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY14B104 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (6x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | No Volátil | 4mbit | 25 ns | Nvsram | 256k x 16 | Paralelo | 25ns | Sin verificado | |||||||
| MT51J256M32HF-60: A TR | - | | 1880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||||
 | IDT71V547XS100PF8 | - | | 5908 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V547 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71v547xs100pf8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4.5Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||||
| C-3200D4DR8RN/16G-TAA | 203.2500 | | 9792 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-3200D4DR8RN/16G-TAA | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||||
| N25Q064A13EW7DFF | - | | 6777 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||||||
| Gd25lq32esigr | 1.0100 | | 13 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25LQ32 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
 | AS7C256A-20JCN | 2.3566 | | 3373 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | AS7C256 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Volante | 256 kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||||
 | CT2K16G4SFD8266-C | 112.0000 | | 9313 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-CT2K16G4SFD8266-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | Gd25q80cnigr | - | | 3847 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | GD25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (4x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | ||||||
 | CAT93C76VI-GT3 | - | | 8309 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT93C76 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8, 512 x 16 | Microondas | - | |||||||
 | IS46TR16128Al-125KBLA1 | - | | 7204 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
| S27KL0643DPBHA023 | 4.7775 | | 9879 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ KL | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 36 ns | Psram | 8m x 8 | SPI - E/S Octal | 36NS | ||||||||
 | AS4C64M16MD1-5BIN | - | | 3410 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | AS4C64 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 300 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | S29GL064N11DFIV10 | - | | 8313 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-N | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL064 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 64 Mbbit | 110 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 110ns | ||||||
| IDT71V67703S80PFI8 | - | | 5920 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V67703 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67703S80PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | 8 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | IS42S81600E-7TLI-TR | - | | 7679 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S81600 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | Cy7c1360a1-166ajc | 7.1000 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1360 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||||
| EPC4QC100 | 56.0000 | | 652 | 0.00000000 | Altera | EPC | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 100 bqfp | Sin verificado | 3V ~ 3.6V | 100 PQFP (20x14) | - | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | 2832-EPC4QC100 | EAR99 | 8542.32.0050 | 9 | En el sistema programable | 4MB | ||||||||||||
 | M24C32-DRMN8TP/K | 0.4300 | | 32 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M24C32 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 32 kbits | 450 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 4ms | |||||
| AA335284-C | 360.0000 | | 4362 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-AA335284-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 71V321S55TF | - | | 3797 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 71v321s | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (10x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 40 | Volante | 16 kbits | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||||
| IS42S16400D-7TL | - | | 8509 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | - | |||||
| IS26KS128S-DPBLA200-TR | - | | 9116 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | - | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB321D-MWU | - | | 2009 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | AT45DB321 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfn (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT45DB321DMWU | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 338 | 66 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 528 bytes x 8192 Páginas | SPI | 6 ms | |||||
 | 3TK87AT-C | 29.5000 | | 9214 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-3TK87AT-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | Upd44164182bf5-e33y-eq3-a | 37.1700 | | 654 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||
| A0R57A-C | 22.5000 | | 6902 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A0R57A-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | CY7C1380D-200AXC | 26.6400 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1380 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 12 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||
| MEM-DR340L-HL02-ER10-C | 17.5000 | | 3169 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM-DR340L-HL02-ER10-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
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