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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | TUPO Programable | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25LP016D-JLLE | 0.8679 |  | 8108 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25LP016 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP016D-JLLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | ||||
 | XCF02SVO20C0100 | - | | 4683 | 0.00000000 | Amd | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Sin verificado | 3V ~ 3.6V | 20-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 122-XCF02SVO20C0100 | Obsoleto | 2.500 | En el sistema programable | 2MB | ||||||||||||
 | CAT24C128YIGT3JN | 0.5400 | | 3 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | CAT24C128 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | S25FL256LAGMFM003 | 9.8500 | | 8302 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL-L | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |||||
| AS4C256M8D3LC-12BANTR | 7.3150 | | 1833 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-vfbga | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (7.5x10.5) | descascar | 3 (168 Horas) | 1450-AS4C256M8D3LC-12BANTR | 2.500 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||||||
 | W956A8MBYA5I | 1.9326 | | 1632 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W956A8 | Hiperram | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W956A8MBYA5I | EAR99 | 8542.32.0002 | 480 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | 35 ns | Dracma | 8m x 8 | Hiperbus | 35ns | |||
 | MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR | - | | 9982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XU02 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Autobús xcela | - | |||||
 | AT25DN011-SSHF-T | 0.5300 | | 25 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25DN011 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI | 8 µs, 1.75 ms | |||||
 | 809080-591-C | 87.5000 | | 6568 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-809080-591-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | GD25VQ80CSIG | - | | 7941 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VQ80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||||
 | MT40A256M16TB-062E: G | - | | 2992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT40A256M16TB-062E: G | Obsoleto | 1.080 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | CY15B102Q-SXE | 18.2800 | | 9538 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, F-RAM ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | CY15B102 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 94 | 25 MHz | No Volátil | 2 mbit | Fram | 256k x 8 | SPI | - | |||||
 | IS42S16800F-5TLI-TR | 3.9209 | | 6687 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | S25FL127SABNFB100 | 5.8800 | | 950 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | S25FL127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 490 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||
 | Nm93c46aen | 0.2000 | | 8783 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 93c46a | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microondas | 10 ms | |||||
 | CY7C1020CV33-12ZCT | - | | 8579 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1020 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 512 kbit | 12 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | 12ns | |||||
 | S70gl02gp11fair10 | 24.4700 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S70GL02 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-S70GL02GP11FAIR10 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 21 | No Volátil | 2 GBIT | 110 ns | Destello | 256m x 8, 128m x 16 | Paralelo | - | ||||||
 | AT17LV010A-10JI | - | | 4625 | 0.00000000 | Atmel | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 20 LCC (J-Lead) | Sin verificado | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 20-PLCC (9x9) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | Eeprom | 1 MB | |||||||||||||
| Gd55b01gefirr | 13.0800 | | 6702 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: B TR | 22.8450 | | 1853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||||
| MTFC8GLZDM-1M WT | - | | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | |||||||
 | IS62WV5128BLL-55QLI-TR | 3.6397 | | 5988 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) | IS62WV5128 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 32-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 55ns | |||||
 | S25FL128SAGMFM003 | 7.9000 | | 2984 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||
| 16-1011421-01 | - | | 2573 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Descontinuado en sic | - | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | HM1-65262/883 | 21.4000 | | 592 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) | HM1-65262 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 20 Cerdip | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 16 kbits | 85 ns | Sram | 16k x 1 | Paralelo | 85ns | |||||
| R1RW0416DSB-2PI#D1 | - | | 4616 | 0.00000000 | Renesas | R1RW0416DI | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | - | 2156-R1RW0416DSB-2PI#D1 | 1 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 12ns | ||||||||||
| S25HS01GTDPMHA013 | 18.7250 | | 8842 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 16-soico | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |||||||||
| MT29F64G08CBABAL84A3WC1 | - | | 9918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||||||||
 | STK14CA8-NF35 | 16.6600 | | 179 | 0.00000000 | Simtek | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | Stk14ca8 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | No Volátil | 1 mbit | 35 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 35ns | |||||
 | A0388042-C | 17.5000 | | 4267 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A0388042-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
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